'강대원상' 첫 수상자, 박병국 교수·노형동 연구원

박병국 서울대 교수(왼쪽)와 노형동 삼성전자 책임연구원. /사진제공=한국반도체학술대회

'세계적인 반도체 천재' 고(故) 강대원 박사를 기리는 '강대원상' 첫 수상의 영예가 박병국 서울대 전기정보공학부 교수와 노형동 삼성전자 (76,700원 ▼1,900 -2.42%) 책임연구원에게 돌아갔다.

한국반도체학술대회는 올해 처음으로 제정한 '강대원상'의 소자·공정 분야 수상자로 박 교수를, 회로·시스템 분야 수상작으로 '초전력 고해상도 델타-시그마 아날로그-디지털 변환기 연구'(A 1.5-V 493-㎼ Delta-Sigma Modulator with 87-dB Dynamic Range) 논문을 선정했다고 14일 밝혔다. 회로·시스템 분야 수상은 수상 논문의 제1저자인 노형동 연구원이 했다.


박 교수는 2009년 논문 '3차원 다층 비트라인 낸드플래시 배열과 내부간섭'(Three-Demensional Stacked Bit-line NAND Flash Array and Inter-layer Interference)으로 1테라급 차지 트랩 플래시(Charge Trap Flash·삼성전자가 세계 최초로 개발한 40나노 이하급 반도체 제조 기술) 소자와 3차원 배열 구조 개발, 양자·나노소자 개발 등 반도체기술 발전에 기여한 공로를 높이 평가받았다.

노 연구원은 2007년 한양대 학생 시절 제출한 논문의 제1저자로 초저전력 회로 설계 분야에서 획기적으로 낮은 전압으로 동작하는 고해상도 통신회로 설계기술 발전에 기여한 공로를 인정받았다.

강대원상은 세계적인 반도체 공학자로 반도체 기술발전에 신기원을 이룩한 강대원 박사를 기리기 위해 제정됐다. 강 박사는 오늘날 대량 생산되는 거의 모든 반도체의 기초 소자로 사용되는 '모스펫'(MOS-FET·전계효과트랜지스터)과 스마트폰 등에 들어가는 낸드플래시의 기초가 되는 플로팅게이트를 1960년대에 세계 최초로 발명했다.


강 박사는 미국 NEC연구소 사장으로 일하다 1992년 갑작스럽게 타계한 뒤 사후 17년 만인 2009년 IC(집적회로) 발명 50주년을 기념해 에디슨과 라이트 형제, 노벨 등이 이름을 올린 미국 '발명가 명예의 전당'에 한국인 최초로 헌액됐고 미국 컴퓨터역사 박물관에도 이름을 올렸다.

이날 시상식에는 강 박사의 매제 김건중 박사와 여동생 강성화씨가 유족대표로 참석했다. 수상자는 100만원 상당의 금메달과 상금 500만원을 받았다.

지난해 학술대회에서 발표된 논문을 대상으로 한 반도체학술대회 최우수 논문상에는 고려대 KU-KIST 융합대학원 황석원 교수와 서울대 대학원생 김한준씨가 선정됐다. 우수 논문상은 고려대 대학원생 장준태씨와 SK하이닉스 이용섭 수석연구원에게 돌아갔다.

SK하이닉스 (172,400원 ▼7,400 -4.12%)상은 카이스트 대학원생 김도현씨와 이화여대 대학원생 박윤주씨, 삼성상은 인하대 대학원 졸업생 김영민씨와 인천대 대학원생 최희철씨, 동부하이텍상은 중앙대 대학원생 유훈상씨와 경희대 대학원생 이재훈씨가 받았다. 우수 포스터상은 성균관대 대학원생 양경채씨와 서울대 대학원생 강명진씨가 수상했다.