ÁÖ¼º¿£Áö´Ï¾î¸µÀÌ 31ÀϺÎÅÍ 3ÀÏ°£ ÄÚ¿¢½º¿¡¼ ¿¸®´Â ±¹Á¦ ¹ÝµµÃ¼ ÀåºñÀç·á Àü½Ãȸ '¼¼¹ÌÄÜÄÚ¸®¾Æ 2018'¿¡ Âü°¡ÇØ Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ Àåºñ¸¦ ¼±º¸¿´´Ù./»çÁø=±èÀ¯°æ ±âÀÚ |
À̹ø Àü½Ãȸ¿¡¼ óÀ½ °ø°³ÇÑ Àåºñ´Â 'ÇöóÁ ó¸® ±â¼ú(IPT Tech.: In Cycle Plasma Treatment Tech.) ±â¹ÝÀÇ ¿øÀÚÃþ ¼ºÀå½Ã½ºÅÛ(SDP X2: Space Divided Plasma X2)'ÀÌ´Ù. Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ ¾ç»êÀ» À§ÇÑ °øÁ¤ ¹Ì¼¼È ¹× 3D³½µåÀÇ ÇÙ½É °øÁ¤¿¡ ¼±Á¦ÀûÀ¸·Î ´ëÀÀÇÑ Àåºñ´Ù.
'IPT Tech. SDP X2'´Â ÁÖ¼º¸¸ÀÇ µ¶Ã¢Àû ÇöóÁ ó¸® ±â¼úÀ» È°¿ëÇØ ´ÜÂ÷ÇǺ¹(Step Coverage) ºñÀ² ¹× ¹Ú¸·ÀÇ ÀÀ·Â(Stress) Á¶ÀýÀÌ °¡´ÉÇÑ °ÍÀÌ Æ¯Â¡À̸ç Á¤¹ÐÇÑ °í¼øµµ(PURE) ¸·ÁúÀ» ±¸ÇöÇÒ ¼ö ÀÖ¾î »ý»ê¼º Çâ»ó±îÁö µ¿½Ã¿¡ °¡´ÉÇÏ°Ô ÇÑ Çõ½ÅÀû ±â¼úÀ̶ó°í ȸ»çÃøÀº ¼³¸íÇß´Ù.
ÀÌ·¯ÇÑ ÇöóÁ ó¸® ±â¼ú·Î 10³ª³ë±Þ ÀÌÇÏ Ãʹ̼¼ D·¥(DRAM), 3D ³½µå(3D NAND Flash Memory) ¹× ·ÎÁ÷ µî ¸ðµç ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶°øÁ¤¿¡¼ ±ØÇÑÀÇ Á¶°Ç¿¡µµ ÇϺα¸Á¶ÀÇ º¹À⼺¿¡ »ó°ü¾øÀÌ ±ÕÀÏÇÏ°í ¿ì¼öÇÑ ¸·Áú Çü¼ºÀÌ °¡´ÉÇÑ °Íµµ °Á¡ÀÌ´Ù.
¶ÇÇÑ ÃÖ±Ù D·¥ÀÇ ´ÜÂ÷ÇǺ¹ ºñÀ² Á¶Àý·Î ´õ¿í ¹Ì¼¼ÈµÈ Ç¥¸é ±¸Á¶¿¡¼µµ ¿øÀÚÃþ ´ÜÀ§·Î ¿Ïº®ÇÑ °¸ÇÊ(Gap fill) ±¸ÇöÀÌ °¡´ÉÇÏ°í, Â÷¼¼´ë 3D ³½µå Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®¿Í °°Àº ÀûÃþ Áõ°¡·Î ÀÎÇÑ ±íÀº ´ÜÂ÷¿¡µµ ÇÑ ¹ø¿¡ °¸ÇÊÀ» ±¸ÇöÇØ »ý»ê °øÁ¤À» ´Ü¼øÈ ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
ƯÈ÷ 'IPT Tech. SDP X2'´Â ±âÁ¸ ¿øÀÚÃþ ÁõÂø½Ã½ºÅÛÀÇ ÀåÁ¡¿¡ ÇöóÁ ó¸® ±â¼úÀ» °È, °øÁ¤ ¹× Çϵå¿þ¾î Çõ½ÅÀ¸·Î ¹Ú¸· Ç°ÁúÀ» 200% ÀÌ»ó ´ëÆø ³ôÀÏ ¼ö ÀÖ¾î ÇâÈÄ Â÷¼¼´ë ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼ ¹× ·ÎÁ÷ °øÁ¤ µî ÁøÈÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ º¯È¿¡ Æø³Ð°Ô Àû¿ë °¡´ÉÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁµÈ´Ù.
ÁÖ¼º¿£Áö´Ï¾î¸µ °ü°èÀÚ´Â "¼¼¹ÌÄÜÄÚ¸®¾Æ´Â ¼¼°è ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú °³¹ßÀÇ ¼Óµµ¸¦ °¡¸§ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÀÇ¹Ì ÀÖ´Â ÀÚ¸®"¶ó¸ç "ÇâÈÄ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ¼ºÆи¦ Á¿ìÇÒ ¹Ì¼¼°øÁ¤ °æÀï¿¡¼ ±â¼ú ÁÖµµ±ÇÀ» È®º¸ÇÑ ¸¸Å ½Å±Ô Àåºñ·Î »õ·Î¿î ¼ºÀåÀ» ¸¸µé¾î°¡°Ú´Ù"°í ¸»Çß´Ù.