빠르고 저렴한 '대면적 나노패턴 제조법' 개발…반도체·광전소자에 적용

블록공중합체 나노패턴이 단계적으로 완성되는 모습을 전자현미경으로 관찰한 사진/사진=UNIST

나노미터 크기의 규칙적인 구조인 나노패턴을 구현하는 기술은 반도체 소자, 광전소자 제조의 핵심 기술이다. 하지만 리소그래피와 같은 값비싼 공정에 의존하고 있어, 늘어나는 수요에 대응하기 위한 대안이 필요하다. 리소그래피는 반도체 제작 공정 중 실리콘 웨이퍼에 회로 패턴을 그림을 그리듯이 형성하는 공정을 말한다.


울산과학기술원(UNIST) 에너지및화학공학부 김소연 교수팀은 KIST 권석준 책임연구원, 전남대 허수미 교수팀과 공동으로 블록공중합체를 이용해 효과적으로 대면적 나노패턴을 제조하는 방법을 개발했다고 15일 밝혔다.

블록공중합체는 서로 다른 고분자 사슬이 공유결합으로 연결되어있는 형태를 가지고 있는 고분자를 말한다. 고분자 사슬 간의 반발력과 인력이 작용해 스스로 나노구조를 만드는 특성(자기조립성)이 있다.

이런 특성 덕분에 블록공중합체로 나노 패턴을 만들면 다른 공정보다 저렴하고 빠르게 결과물을 얻을 수 있다. 그러나 패턴의 방향을 정렬하고 패턴 내에 생긴 구조적 결함을 제거하는 데 비싸고 복잡한 공정이 필요해 실제 적용에 한계가 있었다.

연구팀은 패턴의 방향 정렬과 패턴 내 결함을 차례로 정복해나가는 방법으로 이 문제를 해결했다.


먼저 선 패턴을 형성하는 블록공중합체 박막 위에 밀어주는 힘(전단응력)을 가해 패턴 정렬의 방향성을 만들었다. 다음으로 남아있는 결함 제거는 용매 증기 처리 방식을 이용했다. 용매 증기가 고분자 박막 내부에 침투하고 박막이 부풀어 오르면, 늘어난 공간만큼 고분자 사슬들이 움직일 수 있게 되면서 불안정한 결함 구조를 스스로 제거하게 되는 것이다.

또 ‘선패턴균일도’라는 개념을 개발, 전단-용매증기처리 두 단계를 거친 후 패턴의 품질이 얼마나 향상됐는지 분석해 품질 향상을 입증했다.

선패턴균일도는 완벽히 정렬된 선패턴에 비해 어떤 특정 선패턴이 가지는 전체 윤곽길이를 의미한다. 결함이 있거나 휘어지는 등의 불완전한 부분이 존재하면, 완벽한 패턴에 비해 전체 윤곽길이는 길어진다. 따라서 완벽한 패턴의 경우 선패턴균일도는 1이고, 결함이 존재함에 따라 1보다 큰 값을 가지게 된다.

연구진은 더 나아가 전단-용매증기처리 과정에서 결함이 효과적으로 제거되는 원리를 시뮬레이션을 통해 제시해 이 공정의 응용성을 높였다. 이번 연구에서 고안된 나노 패턴 제작법은 매우 단순한 과정이지만, 다양한 이미지 분석 및 광학 측정 결과 대면적 내에서 우수한 패턴을 형성했다.

김 교수는 “블록공중합체를 이용한 나노 패터닝에 관한 연구는 많지만 큰 면적의 나노 패턴에서 배향 문제와 결함 제거를 한 번에 해결한 연구는 드물다”며 “반도체 뿐만 아니라 광전소자 등 다양한 소자의 나노 패터닝에도 적용이 가능할 것으로 기대된다”라고 말했다. 이번 연구성과는 과학저널 '사이언스 어드밴시스'에 게재됐다.

김소연 UNIST 교수(우측)와 김예찬 UNIST 연구원(좌측)이 실험 결과에 대한 논의를 하고 있다/사진=UNIST