삼성전자, 첨단 생산기술 인텔 앞질렀다

삼성전자 (78,000원 ▲2,500 +3.31%)가 반도체 첨단 생산기술 분야에서 인텔을 처음으로 앞질렀다. 과감한 연구개발(R&D) 투자를 통해 기술을 확보하고 최첨단 공정 도입에도 꾸준하게 투자한 결과로 풀이된다.

특히 삼성전자는 지난해 사상 처음으로 글로벌 반도체 시장점유율이 10%를 돌파하며 인텔과의 격차를 크게 줄였다. 영원히 따라잡기 힘들 것 같던 인텔이 추격 가시권에 들어온 셈이다.


5일 시장조사 전문기관인 IC인사이츠에 따르면 전세계 반도체 업체 가운데 삼성전자가 40나노 이하 공정비율이 가장 높은 것으로 나타났다. 일반적으로 미세공정 비중이 높을수록 같은 생산성이 높아 원가 경쟁력이 뛰어나다.

인텔은 삼성전자에 이어 2위를 차지했고 도시바·샌디스크, SK하이닉스, 마이크론 등이 뒤를 이었다. TSMC와 엘피다, 글로벌 파운드리, IBM, UMC도 40나노 이하 공정비율이 높은 상위 10개 업체에 포함됐다.

이처럼 삼성전자가 인텔을 앞지를 수 있었던 것은 지속적인 대규모 투자 덕분이다. IC인사이츠에 따르면 삼성전자는 올해 120억달러(약 13조3300억원)를 반도체 분야에 투자할 계획이다. 인텔은 전년보다 18% 늘어난 130억달러(약 14조4500억원) 규모의 투자계획을 세워놓고 있다.


올해는 인텔의 투자규모가 삼성전자를 앞질렀지만 최근 5년간 투자실적은 삼성전자가 한 수 위다. 삼성전자의 최근 5년간 투자규모는 469억달러(52조1200억원)로 인텔보다 69억달러 많았다.

반도체업계 관계자는 “인텔은 주로 시스템 반도체인 반면 삼성전자는 메모리 반도체 비중이 높기 때문에 직접적인 비교는 어렵다”며 “그동안 인텔이 미세공정 분야에서 한발짝 앞서 나간 것을 감안하면 상당히 의미가 크다”고 설명했다.

한 단계 아래인 40~80나노 공정비율은 SK하이닉스가 가장 높았고 마이크론과 TSMC, 엘피다가 그 뒤를 이었다.

삼성전자의 우위는 당분간 지속될 전망이다. 삼성전자는 지난해 10월부터 20나노 4기가바이트(Gb) DDR3 D램을 양산하고 있고 낸드플래시의 경우 10나노 64Gb 제품을 생산하고 있다. 특히 시스템 반도체는 지난해 12월 14나노 핀펫(FinFET) 공정을 적용한 시제품 개발도 끝낸 상황이다.

핀펫(FinFET)기술이란 기존의 반도체를 구성하는 소자의 구조가 2차원적인 평면구조였던 것에 반해 누설전류를 줄일 수 있도록 3차원 입체구조로 소자를 만드는 기술이다. 3차원 입체구조에 적용되는 게이트의 모양이 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 핀펫으로 불린다.

한편 반도체 공정별 비율은 40나노 이하가 27.3%로 가장 높았다. 전세계에서 생산되는 반도체 4개 중 1개는 40나노 이하 공정 제품인 셈이다.