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권오철 하이닉스 사장 "올 선두기술 잡는다"

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  • 강경래 기자
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  • 2011.01.27 17:42
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20나노 D램 올 하반기 개발..올해 메모리 신성장시대 열릴 것

SK하이닉스 차트

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"하이닉스 (97,200원 상승1400 -1.4%) 메모리반도체 기술이 연내 업계 최고 수준이 될 것입니다."

권오철 하이닉스반도체 사장은 27일 서울 여의도 우리투자증권에서 열린 '2010년 4분기 실적발표회'에서 "D램과 낸드플래시의 차세대 공정기술을 연내 확보해서 선두기업과 격차를 없앨 것"이라고 밝혔다.

권 사장은 "업계 최첨단인 30나노급 D램이 1분기 중 양산에 들어가 연말 전체 D램 물량의 40% 이상을 차지할 것"이라며 "30나노급에 이은 20나노급 D램을 올 하반기에 개발해 선두기업과 공정기술 격차를 없애는 것이 목표"라고 말했다.

그는 이어 "낸드플래시는 업계 최첨단인 20나노급 후반 제품이 지난해 말 10%에서 올 연말 70% 이상을 차지할 것"이라며 "낸드플래시 역시 20나노급 초반 제품을 올 하반기 출시하고 연내 양산하면서 선두기업들과 격차를 크게 줄일 것"이라고 강조했다.

그는 올해 투자와 관련해 "올해 예정하는 3조4000억원 가운데 낸드플래시가 25% 전후가 되고 나머지는 D램이 될 것"이라며 "중국 우시 D램 공장에 20% 정도 투자할 것"이라고 밝혔다.

그는 모바일D램 등 PC 이외 D램 분야과 관련 "모바일과 그래픽, 서버용 D램 등 고부가가치 제품군 비중을 계속 늘려갈 것"이라며 "특히 모바일D램은 지난해 4분기 매출의 20%를 차지한 데 이어 올해 1분기 30%, 2분기 34%로 늘리는 등 모바일D램 비트그로스(메모리반도체 비트 단위 성장률)를 170%로 대폭 향상시킬 것"이라고 강조했다.

그는 재무구조 개선과 관련해 "지난해 차입금을 1조1000억원 정도 낮추면서 총 차입금을 6조원 이하로 떨어뜨렸다"며 "올해 6000억원 정도 추가로 감소시킬 계획"이라고 밝혔다.

그는 노후화된 청주 200㎜(8인치) 공장 운영 방안을 묻자 "낸드플래시는 조만간 생산하기 어려울 것"이라며 "대신 이미지센서 등 메모리반도체와 유사한 비메모리반도체 제품을 계속 생산할 것"이라고 말했다.

권 사장은 향후 메모리시장 전망에 대해 "D램이 PC에서 모바일로, 낸드플래시가 모바일에서 PC로 시장이 확대되고 있다"며 "스마트폰이 향후 노트북PC 수준 성능을 내는 등 메모리 용량이 계속 늘어나면서 올해 사실상 메모리 신성장 시대가 열릴 것"이라고 말했다.



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