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삼성 반도체 강점은 '포트폴리오 다양성과 기술격차'

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  • 오동희 기자
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  • 2012.08.01 05:10
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하이닉스, 도시바와 격차 확대

'영업이익률 12.9%(삼성전자 반도체부문) vs 3%(도시바) vs 1%(SK하이닉스)'.

올 2분기 세계 D램과 낸드플래시 분야에서 각각 모두 1위인 삼성전자 반도체 부문과 D램분야 2위인 SK하이닉스, 낸드플래시분야 2위인 도시바의 이익률 격차가 상당하다.

업계 전문가들은 기술경쟁력과 사업포트폴리오 차이에서 이같은 격차가 발생한다고 지적한다.

◇사업 포트폴리오의 격차=삼성전자 반도체 부문은 D램과 낸드플래시, 시스템LSI로 구성돼 있다. 하이닉스도 D램과 낸드플래시와 일부 시스템LSI로 구성됐고, 도시바는 낸드플래시와 HDD(하드디스크드라이브), ODD(광디스크드라이브), 시스템LSI로 사업부문이 구성돼 있다.

삼성전자는 지난 2분기 반도체 부문에서 매출 8조 6000억원에 영업이익 1조 1000억원을 달성했고, 하이닉스는 2조 6000억원의 매출에 280억원의 이익을 냈다. 도시바는 한화로 4조6000억원(3077억엔)의 매출에 1410억원(94억엔) 정도의 이익을 올리는 데 그쳤다.

삼성전자는 D램과 낸드플래시, 시스템반도체 매출 비중이 각각 35%, 25%, 40% 수준이지만, SK하이닉스는 D램과 낸드플래시 매출 비중이 각각 70%와 30% 수준이다.

특히 삼성전자는 스마트폰 시장의 활성화 등에 대응해 모바일용 애플리케이션 프로세서(AP) 등 시스템LSI 분야를 강화해 이익률을 높인데 반해 하이닉스나 도시바는 시스템LSI 부문의 뚜렷한 성과 없이 D램과 낸드플래시 가격 하락의 영향으로 호실적을 견인하는 데는 실패했다.

삼성전자 관계자는 최근 컨퍼런스콜에서 "시스템LSI 부문의 이익률이 10% 중후반대"라고 말했다. 이는 삼성전자 반도체 부문 전체이익률인 12.9%보다 높다는 얘기다. 시스템LSI의 성공적인 안착이 반도체 부문의 이익개선에 크게 기여했다는 의미다.

삼성전자는 시장변동성이 큰 메모리 분야의 안전판으로 시스템LSI의 경쟁력을 높이기 위해 내년 미국 텍사스주 오스틴 반도체 공장 증설을 포함해 시스템LSI 반도체 투자를 크게 늘릴 계획이라고 밝혔다.

◇기술경쟁력의 차이=삼성전자는 시스템LSI 분야에서의 경쟁력을 지속 강화하고 있다. 업계에서 가장 앞선 기술인 28나노 공정을 적용한 파운드리 비즈니스를 3분기에 돌입할 예정이다.

또 30나노 이하 D램 비중도 2분기에 50%에서 연말에는 60% 이상으로 늘리고, 낸드플래시 첨단 공정도 20나노 이하 기술이 80%에서 연말에는 90%로 늘려 후발주자들과의 격차를 크게 벌릴 계획이다.

삼성전자는 D램 반도체 중 모바일D램과 서버용D램 등 스페셜D램 비중을 2분기 70% 정도에서 3분기에 더 높여 이익률 제고에 힘들 계획이다. 도시바나 하이닉스 등은 삼성전자보다 3~6개월 정도 뒤늦게 쫓아오고 있는 상황이다.

하반기 메모리반도체 시장이 기대 이상의 반등을 하기 힘들 것이라는 분석이 나오면서 후발주자들과의 격차는 하반기에도 더 벌어질 전망이다.

서원석 한국투자증권 애널리스트는 실적 평가 및 전망에서 "선두업체인 삼성전자는 PC D램의 공급 조정으로 대응할 계획이지만, 후발업체들의 경우 여전히 PC D램에 대한 의존도가 높은 만큼 저가 판매를 통해 재고를 줄이고, 원가를 낮추는 전략을 취할 수밖에 없다"고 분석했다.



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