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美·日 차세대 반도체 'M램' 양산기술 공동 개발

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  • 김신회 기자
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  • 2013.11.24 10:00
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니혼게이자이, 마이크론·도쿄일렉트론 등 20곳 이상 참여

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미국 마이크론테크놀로지와 일본의 도쿄일렉트론 등 미·일 반도체 관련기업 20곳 이상이 차세대 반도체 'M램'(자기기록식 메모리)의 양산기술을 공동 개발한다고 일본 니혼게이자이신문이 24일 보도했다.

마이크론테크놀로지와 도쿄일렉트론 등은 2016년까지 기술개발을 끝낸다는 방침이며 마이크론테크놀로지는 지난 7월 인수한 엘피다의 히로시마 공장에서 이르면 2018년 양산에 들어간다는 계획이다.

미·일 공동 개발에는 반도체 웨이퍼 1위 업체인 일본 신에쓰화학공업, 반도체업체 르네사스일렉트로닉스, 히타치 등이 참여한다. 각사는 연초부터 일본 도호쿠대에 수십명의 연구원을 파견해 개발을 본격화했다.

니혼게이자이는 미·일 연합은 'M램'의 원천 기술을 조기에 확립하려는 것으로 국제 경쟁력이 높은 일본의 소재·장비 업체들은 이번 결집을 통해 차세대 메모리 개발의 주도권을 쥐려 한다고 전했다.

'M램'은 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않고 컴퓨터나 스마트폰에 쓰이는 기존 D램보다 저장 용량이 10배나 커 전자기기의 동작 속도가 빨라진다. 또 'M램'을 사용하면 전자기기의 소비전력을 3분의 2로 줄일 수 있다. 이에 따라 현재 1회 충전으로 스마트폰을 사용할 수 있는 시간은 수십 시간에서 수백 시간으로 연장될 전망이다.

'M램'은 현재 일본 도시바가 SK하이닉스 (148,500원 상승12500 9.2%)와 함께 개발하고 있으며 삼성전자 (85,300원 상승3300 4.0%)도 연구를 진행하고 있다고 니혼게이자이는 전했다.



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