°í·Á´ëÇб³(ÃÑÀå ¿°ÀçÈ£)´Â ÃÖ±Ù KU-KIST À¶ÇÕ´ëÇпø ¿Õ°Ç¿í ±³¼ö ¿¬±¸ÆÀÀÌ ÅºÅ»·ý ¿Á»çÀ̵å¿Í ±×¶óÇÉÀ» ÀÌ¿ëÇØ ¸Þ¸ð¸® ¼¿µéÀ» Æ®·£Áö½ºÅÍ ¾øÀÌ µ¶¸³ ±¸µ¿ ½Ãų ¼ö ÀÖ´Â '3Â÷¿ø ³ª³ëÆ÷·¯½º ±¸Á¶Ã¼ ±â¹ÝÀÇ Selector-less ¸Þ¸ð¸® Á¦ÀÛ'¿¡ ¼º°øÇß´Ù°í 11ÀÏ ¹àÇû´Ù.
Selector-less ¸Þ¸ð¸®´Â Resistive Random Access Memory (ReRAM)À» Å©·Î½º¹Ù ±¸Á¶, Áï °íÂ÷¿øÀ¸·Î ÁýÀû½Ã۱â À§Çؼ´Â ¸Þ¸ð¸® ¼¿°£ÀÇ »óÈ£ ÀÛ¿ëÀ» ¾ïÁ¦ ½Ãų ¼ö ÀÖ´Â ¾îµå·¹½Ì ¼ÒÀÚ (Addressing devices: ´ÙÀÌ¿Àµå, ¼¿·ºÅÍ, ¶Ç´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ)°¡ ÇʼöÀûÀÌ´Ù.
Selector-less ¸Þ¸ð¸®´Â ÀÌ·¯ÇÑ Ãß°¡ ¾îµå·¹½Ì ¼ÒÀÚ ¾øÀÌ ¼¿°£ÀÇ »óÈ£ ÀÛ¿ëÀ» ¾ïÁ¦ ½Ãų ¼ö ÀÖ¾î, ¼ÒÀÚ ±¸Á¶ÀÇ ´Ü¼ø¼º, °øÁ¤ ºñ¿ë¡¤¼öÀ², Àú¿Â °øÁ¤ Ãø¸é¿¡¼ ÀåÁ¡À» °¡Áø´Ù.
À̹ø ¿¬±¸°á°ú´Â ¼¼°èÃÖ°í ±ÇÀ§ÀÇ ÇмúÁöÀÎ Nano Letters ¿Â¶óÀÎÆÇ 8¿ù 4ÀÏÀÚ¿¡ °ÔÀçµÆÀ¸¸ç, ³í¹®¸íÀº Three-Dimensional Networked Nanoporous Ta2O5−x Memory System for Ultrahigh Density Storage´Ù.
¿Õ°Ç¿í ±³¼ö´Â ¡°³ª³ë±â¼ú ¹× ¼ÒÀç °£ À¶ÇÕÀ¸·Î À̹ø¿¡ Á¦¾ÈµÈ ¼ÒÀç ¹× ¼ÒÀÚ ±¸Á¶´Â Áö±Ý±îÁö »êȹ° ¸Þ¸ð¸®°¡ °¡Áö´Â ÁýÀûµµ º¸´Ù °íÁýÀûÀ¸·Î ÀÀ¿ë µÉ ¼ö ÀÖ¾î¼, ´ÙÀ½ ¼¼´ë ¸Þ¸ð¸® ÀÀ¿ëºÐ¾ß¿¡¼ ¿ªÇÒÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î ±â´ëµÈ´Ù¡±°í ¸»Çß´Ù.