'10년간 5%' 美가드레일에 일단 안도…산업장관 "불확실성 해소"

머니투데이

세종=김훈남 기자
최민경 기자

이창양 산업통상자원부 장관이 15일 오후 서울 종로구 정부서울청사에서 국가첨단산업 육성전략 및 벨트 조성계획을 발표하고 있다. /사진=뉴시스

미국이 반도체지원법(칩스법)상 인센티브 수령기업의 중국 내 설비확장을 10년간 5% 이내로 제안하는 '가드레일 조항' 세부규정 초안을 발표했다. 중국 현지에 공장을 두고 있는 삼성전자와 SK하이닉스 등 우리 기업 활동에 미치는 영향이 제한적일 것이란 평가가 나온다. 이창양 산업통상자원부 장관은 "불확실성이 상당 부분 해소됐다"고 밝혔다.

이 장관은 22일 오전 정부세종청사에서 기자간담회를 열고 미국 반도체법 가드레일 세부조항 초안 발표 등 통상현안에 대해 설명했다. 이 장관은 "(미국의 가드레일 세부조항 ) 기업이 투자할 때 유연성이 확보됐다"며 "실질 내용을 보면 캐파(생산능력) 업그레이드가 어느정도 용인됐고 기술 업그레이드는 제한이 없다"고 말했다.

이 장관은 "(미국의 세부규정 발표가 웨이퍼를 기준으로 해) 칩 단위 생산 용량 확대는 있을 수 있다"며 "이번 첨단산업 전략을 통해 용인 반도체 클러스터 조성을 발표했고 미국도 우리기업이 필요하면 (국내에) 투자할 수 있는 조건이 마련된 만큼 설비투자를 넘어 기술력과 생태계 확보 등 반도체 패권에 (정책) 초점을 맞출 것"이라고 밝혔다.

미국 상무부는 21일 밤 9시45분(한국시간) 반도체지원법상 가드레일 세부규정 초안을 발표했다. 미국 반도체지원법은 반도체 산업에 대한 527억달러(약 68조7000억원) 규모 재정지원과 25% 투자세액공제 등 내용을 담고 있다. 이 법에 따라 투자인센티브를 수령하는 기업은 중국과 북한, 러시아, 이란 등 우려대상국 내 설비확장을 제한받는다.

미 상무부 발표에 따르면 인센티브 수령기업은 중국 등 우려대상국에 있는 생산설비의 웨이퍼기준 생산능력을 10년간 5% 이내로 확장가능하다. 낸드 128단 미만, D램 18㎚(나노미터) 초과 등 일정 사양 이하인 '레거시' 반도체 생산설비의 경우 10년간 10% 미만까지 설비 확장을 허용했다.

이번 발표에서는 기술·공정 업그레이드를 위한 투자, 기존 설비 운영을 위한 장비교체엔 제한을 두고 있지 않다. 산업부는 5% 이내 설비확장 제한을 지킬 경우 중국 내 생산설비의 기술·공정 업그레이드를 계속 진행할 수 있다고 설명했다. 이밖에 우려대상국 내 기업과 미국 제재 대상 기관과의 반도체 기술 공동연구 및 라이선싱 역시 제한받는다.

산업부는 이번 세부조항이 60일간 의견 수렴을 거쳐 최종확정되는 만큼 우리 업계와 소통을 거쳐 미국 측과 소통을 이어갈 계획이다.

이창양 장관은 "가드레일 세부조항에서 규정한 생산능력 확대 5%선이 박하는 의견도 있는데 제일 중요한 것은 기술 업그레이드"라며 "투자 선택지가 많아졌다고 보고 업계에서도 반도체 공정이 미세해지면 동일 웨이퍼에서 더 많은 칩이 나올 수 있다고 본다"고 말했다.

이 장관은 "미국과 협의 기간이 60일 남아있기 때문에 정부도 미국과 긴밀한 협의를 할 생각"이라며 "반도체 관련해서 기업의 우선 순위를 가장먼저 생각할 것"이라고 강조했다.

산업부 측은 "지난달 28일 발표된 반도체지원법 재정 인센티브의 세부지원계획과 미국의 대(對)중국 반도체 장비 수출 통제 등 현안이 우리 업계에 미치는 불확실성과 부담을 최소화하기 위해 협의를 이어갈 것"이라며 "대외 통상 현안 관리와 더불어 300조원대 세계 최대 시스템반도체 클러스터(산업단지) 신규 조성을 포함한 반도체 메가 클러스터 구축을 차질없이 추진할 것"이라고 강조했다.