삼성전자-하이닉스, '이젠 50나노(㎚)가 대세'

삼성전자와 하이닉스가 연이어 주력 낸드플래시 제품군을 기존 60나노미터(nm, 1㎚는 10억분의 1m)대 공정에서 최첨단 50나노급 공정으로 빠르게 전환하면서 50나노 기술이 대세로 굳어지고 있다.

휴대전화와 MP3플레이어 PMP 등 휴대단말기들이 다양한 미디어 기능을 지원하는 추세에 맞춰, 이들 기업은 50나노급 공정을 적용해 8기가비트(Gb)와 16Gb 등 고용량 낸드플래시 생산을 늘리고 있는 것으로 풀이된다.


삼성전자 (63,000원 ▼100 -0.16%)와 하이닉스 (157,100원 ▲4,300 +2.81%)는 기존 60나노급 공정 대비 낸드플래시 생산량을 20∼60% 가량 늘릴 수 있는 50나노급 공정으로 주력을 전환함으로써, 도시바 르네사스 마이크론 등 해외경쟁사들보다 높은 생산성과 가격경쟁력을 확보한다는 계획이다.

특히 이들 기업은 50나노대 공정에 이어 연내 40나노급 공정으로도 32Gb 등 초고용량 낸드플래시 제품을 생산함으로써 낸드플래시 업계 선도적인 기술력을 이어간다는 전략이다.

삼성전자는 전체 낸드플래시 물량 가운데 51나노 공정에서 생산되는 제품 비중이 최근 50%를 넘어섰다고 밝혔다.


회사 측은 경기도 기흥 14라인 등에서 16Gb 용량 제품을 주력으로 51나노공정을 적용해 낸드플래시를 생산하고 있다고 설명했다. 지난해 3월 업계 최초로 생산에 돌입한 51나노공정 낸드플래시는 지난해 3분기와 4분기 각각 전체 낸드플래시 물량 가운데 15%와 30%를 넘어선 바 있다.

삼성전자 관계자는 “51나노공정에 이어 올해 3분기 중 42나노공정을 적용해 낸드플래시 생산에 착수함으로써 업계 선도적인 기술력을 이어갈 것”이라고 말했다.

하이닉스 역시 이달 말 전체 낸드플래시 생산량에서 57나노공정 비중이 50%를 넘어설 것이라고 밝혔다.

하이닉스 측은 지난해 11월 57나노공정으로 낸드플래시 제품을 처음 생산한 이후 지난달 말 기준으로 전체 낸드플래시 물량 가운데 30% 이상을 57나노공정으로 생산했다고 설명했다. 이를 위해 D램을 주력으로 생산 중인 경기 이천 M10라인 내 생산량(월 12만장 웨이퍼 가공) 가운데 낸드플래시 물량을 기존 월 5만장에서 이 달 중 6만∼7만장 규모로 확대할 계획이다.

하이닉스 관계자는 “M10라인에서 57나노공정에 이어 2분기 중 48나노공정으로 낸드플래시를 생산, 업계 최초로 40나노공정대에 진입할 것”이라며 “3분기 가동에 들어갈 예정인 충북 청주 M11라인은 48나노공정 이하 최첨단 공정으로 낸드플래시를 생산할 예정”이라고 말했다.

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