하이닉스, 2기가 고용량 모바일 D램 첫 개발

하이닉스 (157,100원 ▲4,300 +2.81%)반도체(대표 김종갑)는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다.

하이닉스에 따르면 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 이번 제품은 멀티 칩 패키지(MCP; Multi Chip Package)와 패키지 온 패키지(PoP; Package on Package) 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 중 현재 시중의 최대 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현할 수 있다.


2기가비트는 일간 신문 1년6개월 치, 단행본 320권, 고해상도 사진 800장 저장 가능한 용량이다.

전력 소비도 기존의 메모리 제품 대비 8분의 1에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 내비게이션 등의 제품에 적합하다고 회사 측은 밝혔다.

또 1.2V 초저전력으로 동작이 가능하며, 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다.


이 제품은 SDR/DDR, x16/x32와 같은 다양한 방식 지원이 가능해, 탑재되는 기기의 사양에 맞추어 변경해 사용할 수 있는 '원 칩 솔루션' 기능도 갖추고 있다.

모바일 인터넷 디바이스(MID; Mobile Internet Device)를 비롯한 울트라 모바일 PC(UMPC; Ultra Mobile PC) 등의 차세대 애플리케이션에 지원이 가능해 고용량화ㆍ저전력화ㆍ고속화ㆍ소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도할 것으로 보인다고 하이닉스측은 전망했다. 하이닉스는 내년 상반기부터 이 제품의 양산에 들어갈 예정이다.

시장 조사기관 아이서플라이의 보고서에 따르면 모바일 D램 시장이 2007년부터 2012년까지 연평균 14.4%씩 성장할 것으로 전망된다. 휴대전화의 모바일 D램 채용률 또한 2007년 30% 수준에서 2012년 83%까지 성장할 것으로 보고 있다.

하이닉스는 지난 2006년 12월 세계 최고속 512메가비트 모바일 D램 개발을 시작으로 올 상반기에는 66나노 최소형 1기가비트 모바일 D램과 최고속 1기가비트 LPDDR2 등 고부가가치 제품인 모바일 D램 제품 생산의 비중을 늘려 왔다.

하이닉스 관계자는 "향후에도 기술경쟁력을 기반으로 제품 포트폴리오의 다양화를 통해 회사의 경쟁력을 한층 더 확고히 할 것"이라며 "아이서플라이 기준 현재 약 11%인 모바일 D램 시장 점유율을 연말까지 20%로 확대해 수익성을 더욱 제고할 계획"이라고 말했다.