삼성電, 50나노 4Gb DDR3 D램 최초개발

삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Giga bit) DDR3 D램을 개발했다고 29일 밝혔다. 지난 2004년 9월 80나노 2기가비트(Gb) D램을 처음 개발한 후 4년여만에 용량을 2배 늘린 것이다.

이 제품은 당분간 고용량이 필요한 서버용으로 주로 쓰이게 되며 기존 2기가 DDR3 D램 대비 전력을 40% 절감할 수 있는 장점이 있다.


삼성전자는 2004년 80나노 공정에 이어 지난 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발했고, 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 이번에 5개월만에 같은 회로공정에 용량을 두배 늘리는 성과를 이뤄냈다.

메모리 용량만 놓고 보면 지난 2004년 9월 2기가비트 D램 최초 개발 이후 4년4개월만에 4기가비트 제품을 내놓은 셈이다.

삼성전자는 이로써 50나노 D램 제품군으로 DDR3 4Gb, 2Gb, 1Gb. 512Mb, DDR2 1Gb, 512Mb를 보유해 업계에서 가장 많은 제품군을 확보하게 됐다.


이번 제품은 고용량의 D램이 필요한 서버용 16기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션에 주로 적용되며 데스크탑 PC용 8기가바이트(GB) UDIMM, 노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM 등 대용량 모듈 개발에도 적용될 예정이다.

패키지 적층 기술(DDP, Double Die Package)을 적용하면 32기가바이트(GB) 모듈 개발도 가능하다.

삼성전자는 최근 서버 시스템 당 메모리 탑재 용량이 매 2년마다 약 2배로 증가하는 추세를 보이고 있어 고용량 메모리에 대한 수요도 증가할 것으로 전망했다.

이번 제품은 50나노 공정과 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps(초당 1600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현해 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약20% 정도 성능이 향상됐다고 삼성전자측은 밝혔다.

특히 전력 소비 측면에서 큰 강점을 갖고 있다. 가령 16기가바이트 D램 모듈을 제작할 경우 1기가비트 D램은 단품 144개를 탑재하지만, 2기가비트 D램은 72개로 전력 소비를 40% 이상 절감할 수 있고, 4기가비트 D램의 경우는 36개(여분칩 4개 포함)로 제작할 수 있어 2기가비트 D램 대비 40% 이상 전력 소비를 절감할 수 있다.

삼성전자 관계자는 "서버는 24시간 켜놓는 제품"이라며 "전력 소비 절감만으로도 2~3년 운영하면 메모리 업그레이드 비용이 빠질 수 있다"고 말했다.

아울러 1.35V에서 동작해 1.5V DDR3 대비 추가로 전력 소비를 20% 이상 절감할 수 있다는 설명이다. 4기가비트 D램 탑재시 1기가비트 D램과 비교하면 총 70%까지 전력 소비를 줄 수 있는 셈이다.

삼성전자 관계자는 "전력 절감 효과는 서버에서 장착하는 메모리 용량이 커지면 커질수록 더욱 확대된다"며 "고용량 메모리 시장의 확대에 따라 4기가비트 D램 수요는 더욱 증가할 것"이라고 전망했다.

삼성전자는 1992년에 세계 최초로 64메가비트 D램을 개발해 D램 시장 정상에 오른 이래 256메가비트, 1기가, 2기가 D램 등 차세대 D램 제품을 잇따라 최초 개발해
D램 시장에서 기술 리더십을 지켜 왔다.

삼성전자 관계자는 "앞으로도 서버 시장에서 PC시장에 이르기까지 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 다양한 고객의 요구에 대응할 것"이라며 "프리미엄 메모리 시장을 지속적으로 창출하며 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 계획"이라고 말했다.

한편 반도체 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장 규모는 비트(Bit) 기준으로 전체 D램 시장에서 올해 29%, 2011년 75%를 차지하게 될 것으로 전망했다. DDR3 D램 중 2기가비트 이상(2기가비트 제품 포함)의 비중도 Bit(1Gb) 기준으로 각각 올해 3%, 2011년 33%를 점유할 것으로 전망됐다.