삼성전자, 40나노급 D램 개발 성공

김성일 MTN 기자

< 앵커멘트 >
안그래도 호조를 보이고 있는 삼성전자 주식이 40나노급 공정 D램 개발로
상승을 이어가고 있습니다. 당분간 타 IT업체들과의 격차도 더욱 벌어질 전망입니다. 김성일기자가 취재했습니다.

< 리포트 >
삼성전자가 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램 개발에 성공했습니다.

이로써 삼성전자는 지난 2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급 그리고 올해 본격적인 40나노급 공정 D램 시대를 열었습니다.

기존 50나노급 공정 D램에 비해 생산성을 크게 높을 수 있다는 것이 삼성전자의 설명입니다.

예를 들어 같은 웨이퍼 안에 50나노급 공정을 했을 때 100을 생산한다면,
보다 미세한 40나노급 공정에선 160에 달하는 생산이 가능하다는 것입니다.

저전력, 저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능하다는 점도 주목됩니다.

기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과가 기대됩니다.

삼성전자는 여세를 몰아 40나노급 2기가 DDR3 제품 양산 일정을 밝히며, D램 업체 대비 제조 경쟁력 격차를 2년 이상 벌려나간다는 계획입니다.

[녹취] 황진오 / 삼성전자 홍보팀
“기존 대부분 업체들이 60나노급, 하이닉스가 50나노급 인데 이런 업체들보다
저희 개발 양산을 봤을 때 그정도의 격차가 날 것으로 보시면 되죠.”

삼성전자의 이같은 추진력에 힘입어 주가도 상승하고 있습니다.

대만 기업 구조조정에 대한 기대감과 반도체 종목이 저점을 찍었다는 공감대가 형성된 가운데 40나노급 D램 공정 개발 성공은 또 하나의 호재로 작용하고 있습니다.

[녹취] 구자우 / 교보증권 연구원
“삼성전자의 경우 앞으로도 전체적인 재무 안정성이나 기술 선도력 이런것들 감안했을 때 가장 안정적으로 투자할 종목이라고 생각합니다.”

MTN 김성일입니다.