삼성전자, 내달 D램 10라인 가동중단

삼성전자 (63,000원 ▼100 -0.16%)가 다음달까지 D램 메모리반도체 1개 라인 가동을 중단, 본격 D램 감산에 들어간다.

삼성전자 관계자는 4일 "D램 전용공장인 경기 화성 10라인에 지난해 말부터 반도체 원판(웨이퍼) 투입을 순차적으로 줄이고 있다"며 "다음달까지 10라인 가동을 모두 중단할 것"이라고 밝혔다.


삼성전자가 메모리반도체인 D램 1개 라인 전체를 가동 중단하는 것은 이례적이다. 전면 가동 중단되는 10라인은 200㎜(8인치) 크기 원판 기준 월 12만장 규모로 D램을 생산하고 있다. 이는 삼성전자 D램 물량 가운데 13% 정도를 차지한다.

지난해말 기흥 3라인의 가동을 순차적으로 줄여 올 1분기까지 가동을 전면 중단키로 했고, 4라인도 올해 중 가동을 중단할 것이라고 밝힌 바 있으나 이는 모두 비메모리반도체(시스템LSI) 라인이었다.

삼성전자는 10라인 가동을 중단한 후 일부를 300㎜(12인치) 공정으로 전환하고 나머지는 비메모리 생산 등에 할애할 계획이어서 감산이 아니라고 해명한다. 그러나 200㎜ 라인의 가동을 중단하고 300㎜ 라인으로 전환할 때까지 상당기간 D램 생산이 중단돼 감산효과가 있을 것으로 기대되고 있다.


삼성전자는 현재 화성 10, 11, 12, 13, 15라인을 비롯해 미국 오스틴 1개 라인 등 총 6개 라인에서 D램을 생산하고 있다. D램 라인 가운데 10라인 및 오스틴 1개 라인 등 2곳만 200㎜ 공정이며 나머지는 모두 300㎜ 공정이다.

삼성전자는 300㎜ 라인에 비해 D램 생산 채산성이 크게 떨어지는 200㎜ 라인 중 10라인의 가동을 우선 중단키로 한 것으로 풀이된다. 일반적으로 300㎜ 공정으로 반도체를 생산할 경우 200㎜에 비해 단일 원판에서 생산되는 반도체 물량이 2.5배 정도 늘어난다.

삼성전자는 200㎜ D램 라인을 정리하는 수순에 따라 10라인에 이어 미국 오스틴 200㎜ 라인 역시 연내 가동을 중단할 것으로 전망된다.

하지만 D램 업계 부동의 1위인 삼성전자가 10라인 가동을 중단하더라도 전세계적인 D램 업황 회복 시기가 앞당겨지지는 않을 것이라는 전망이 우세하다.

업계 한 관계자는 "10라인은 512메가비트(Mb) 이하 저용량(레거시) D램을 주로 생산하는 곳으로 현재 기가비트(Gb)급 D램이 주력으로 자리매김한 상황에서 D램 수급에 미치는 영향은 적을 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자에 정통한 소식통은 "지난해 말 10라인에 대한 원판 투입을 전면 중단하고 이달 중 가동도 중단할 예정으로 안다"고 밝혔으나 삼성전자 측은 "아직 10라인의 일부는 가동 중이다"고 말했다.