하이닉스, 세계 최초 44나노 DDR3 D램 개발

머니투데이

진상현 기자

하이닉스반도체는 44나노 공정 기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 8일 밝혔다.

미국 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이라고 하이닉스측은 밝혔다.

하이닉스가 개발한 제품은 삼성전자가 지난 4일 세계 최초로 개발했다고 밝힌 40나노급 1기가 DDR2와 달리 DDR3 제품이다.

DDR2는 전원전압 1.8V에서 최대 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리)의 전송속도를 지원하며 차세대 제품인 DDR3는 다양한 전압으로 최대 2133 Mbps까지 지원한다.

↑하이닉스가 세계 최초로 개발한 40나노급 1Gb DDR3 D램.

이번 제품은 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된다고 하이닉스측은 밝혔다.

‘3차원 트랜지스터 기술’로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화했고, 업계 최고 수준의 동작속도도 확보했다. 최대 전송속도는 앞으로 차세대 DDR3의 표준속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps이며, 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이라고 하이닉스측은 밝혔다.

하이닉스는 올해 3분기에 이 제품을 양산할 계획이다. 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산하고, DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램 제조에도 확대 적용한다.

하이닉스와 삼성전자를 제외한 대부분의 D램 업체들은 오는 2010년 이후 40나노급 공정 개발을 목표로 하고 있다.

40나노급 기술은 2009년 하반기 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 전망이다. 40나노급 DDR2를 개발한 삼성전자도 3분기 중 양산에 들어갈 때는 DDR3 제품에 이 기술을 적용한다.

하이닉스 관계자는 "40나노급 공정으로 세계 최초로 DDR3 제품을 개발해 업계 최고 수준의 기술력을 다시 한번 확인하게 됐다"며 "수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사 대비 한 세대 앞선 공정기술을 적용한 차별화된 제품으로 시장을 선도할 수 있을 것"이라고 말했다.