삼성-하이닉스 반도체기술 '최초 경쟁'

삼성전자 (63,000원 ▼100 -0.16%)와 하이닉스 (157,100원 ▲4,300 +2.81%)가 메모리 반도체 제조 기술에서 '세계 최고' 자리를 놓고 치열한 경쟁을 펼치고 있다.

다른 해외업체들과의 기술 격차는 이미 1,2년 이상 따돌린 상태여서 '반도체 한국'의 기술력이 또한번 각인되는 계기가 되고 있다.


하이닉스반도체는 44나노(10억분의 1 미터) 공정 기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 8일 밝혔다.

↑하이닉스가 세계 최초로 개발한 40나노급 1Gb DDR3 D램.

삼성전자가 지난 4일 세계 최초로 40나노급 1기가 DDR2 제품 개발을 공개한데 이어 하이닉스가 불과 며칠만에 차세대 제품인 DDR3에 40나노대 기술을 적용한 제품을 선보인 것이다.

DDR2는 전원전압 1.8V에서 최대 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리)의 전송속도를 지원하며 지난해 처음 시장에 소개된 DDR3는 다양한 전압으로 최대 2133 Mbps까지 지원한다.

이번에 개발된 제품은 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품이라고 하이닉스측은 밝혔다.


하이닉스는 올해 3분기에 이 제품을 양산할 계획이다. 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산하고, DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램 제조에도 확대 적용한다.

40나노급 기술은 2009년 하반기 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 전망이다. 삼성전자도 3분기 중 40나노급 공정으로 양산을 할 때는 DDR2가 아닌 DDR3에 적용하게 된다.

하이닉스와 삼성전자를 제외한 대부분의 D램 업체들은 오는 2010년 이후 40나노급 공정 개발을 목표로 하고 있다.

세계 D램 3위인 일본 엘피다는 올해 1분기 50나노급 공정기술을 적용키로 했으나 양산 여부는 아직 불투명하다. 4위인 미국 마이크론은 현재 60나노급으로 D램을 생산하고 있고, 대만 업체들도 60나노급 또도 70나노급으로 D램을 생산하고 있다.

삼성전자와 하이닉스는 지난해 가장 먼저 50나노대 공정으로 D램 양산에 들어가는 등 세계 메모리 반도체 제조 기술을 선도하고 있다.

반도체에서 나노는 회로선폭의 두께를 말하며 선폭의 굵기가 가늘수록 반도체의 집적도가 높아져 생산성이 향상된다.

경기 침체로 메모리 반도체 가격이 급락한 상황이어서 생산성 향상과 원가 경쟁력으로 이어질 수 있는 기술력은 '생존'과 직결되는 중요한 요소가 되고 있다.

최근 분기 실적 발표에서 일본의 엘피다는 93.7%의 영업손실률을 기록했고, 업계 6~7위권인 대만 난야는 영업손실률이 105.6%에 달했다. 파워칩과 프로모스 등 다른 대만 D램업체들은 아직 실적 발표 일정을 잡지 못하고 있다. 삼선전자 반도체 부문과 하이닉스도 적자를 기록했지만 영업손실률은 14%와 51%로 상대적으로 양호했다.

일본의 엘피다, 미국의 마이크론 등이 대만 반도체업체들과의 연합을 추진하고 있지만 뒤진 기술력을 끌어올리지 못하는 한 삼성전자와 하이닉스를 따라잡기 힘들 것이라는 전망이 나오는 것도 이런 '기술력 격차'를 감안한 것이다.

하이닉스 관계자는 "업계 최고 수준의 기술력을 다시 한번 확인했다"며 "향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사 대비 한 세대 앞선 공정기술을 적용한 차별화된 제품으로 시장을 선도할 수 있을 것"이라고 말했다.