삼성전자, 세계최초 40나노급 플렉스 원낸드 출시

삼성전자 (63,000원 ▼100 -0.16%)가 40나노급 공정을 적용한 8기가 플렉스 원낸드(Flex-OneNANDTM)를 개발했다.

스마트폰 등에 쓰이는 플렉스 원낸드 제품은 초고속 SLC(Single Level Cell) 낸드와 기가급 고용량 MLC(Multi Level Cell) 낸드 두 제품을 하나의 칩에서 구현한 차세대 모바일 솔루션 제품이다.


삼성전자는 지난 2007년 60나노급 4기가 플렉스 원낸드 제품 개발에 이어 올해 3월부터 40나노급 8기가 제품을 양산해 스마트폰에서 고용량 첨단 휴대폰 시장까지 퓨전 메모리 제품으로 전환해 나갈 계획이라고 10일 밝혔다.

이번에 개발된 40나노급 8기가 제품은 퓨전 메모리 제품 최초로 40나노대 공정을 적용한 것으로 기존 60나노급 4기가 제품 대비 생산성을 약 2.8배 향상시켰다고 삼성전자측은 설명했다.

삼성전자는 이번 제품 외에 일반 원낸드(OneNANDTM)제품에도 올해 안에 40나노급 공정으로 1기가, 2기가, 4기가 제품을 양산해 타사 대비 1~2세대 앞선 제품 경쟁력 우위를 지속해서 유지한다는 계획이다.

플렉스 원낸드는 초고속 SLC 낸드와 고용량 MLC 낸드 두 제품을 하나의 칩에서 구현해 휴대폰업체가 직접 소프트웨어 솔루션을 활용해 SLC/MLC 용량을 유연하게 디자인 할 수 있다.


현재 첨단 휴대폰에서는 전원이 켜질 때 프로그램을 지원하는 코드(Code)용 SLC 플래시와 사진 및 동영상 등 데이터 저장용 MLC 플래시를 별도로 사용 중이지만 이 제품을 쓰면 하나로 구현이 가능하다.

이번 제품은 또 내장 타입의 확장 스토리지인 Movi-NANDTM(혹은 eMMC)까지 컨트롤할 수 있어, 휴대폰 업체가 고용량 내장 스토리지를 갖춘 제품을 개발할 때 별도의 소프트웨어가 필요 없도록 개발 편의성을 극대화했다는 설명이다.

삼성전자는 기존 고성능 스마트폰에서 대용량 첨단 휴대폰은 물론 풀HDTV, 컨텐츠 TV, 디지털 액자, 디지털카메라 등 다양한 응용처로 수요를 확대해나갈 계획이다.

이를 위해 고객의 다양한 요구에 신속히 대응하고 세트(SET)의 개발 편의성을 증대시키기 위해 모바일 칩셋 및 컨슈머 칩셋 업체와 협력을 강화해 나가고 있다.

삼성전자는 차별화 제품의 수요 증대에 대응하기 위해 올해 원낸드 제품의 생산을 지난해 대비 2배 이상으로 확대할 계획이다. 이를 기반으로 퓨전 메모리의 사업화 역량을 강화하고 고용량 카드 시장의 성장을 견인해 나갈 예정이다.

전세계 플래시 메모리 시장에서 낸드 제품은 약 65%를 차지하고 이중 10% 안팎을 원낸드 제품이 차지한다.