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인텔 세계 최초 22나노 공정 워킹칩 개발

머니투데이
  • 오동희 기자
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  • 2009.09.23 11:33
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↑폴 오텔리니 인텔 CEO가 22일 미국 샌프란시스코에서 열린 인텔개발자포럼(IDF)에서 22나노 공정기술을 적용한 웨이퍼를 들어보이고 있다.
↑폴 오텔리니 인텔 CEO가 22일 미국 샌프란시스코에서 열린 인텔개발자포럼(IDF)에서 22나노 공정기술을 적용한 웨이퍼를 들어보이고 있다.
폴 오텔리니 인텔 사장 겸 CEO가 22일(현지시간) 세계 최초로 22나노(nm) 공정 기술 기반의 워킹 칩(동작 칩)과 실리콘 웨이퍼를 선보였다.

22나노 테스트 회로에는 S램 메모리와 함께 미래형 인텔 마이크로프로세서에 사용될 논리 회로도 내장된다.


폴 오텔리니 사장은 이날 미국 샌프란시스코에서 열린 인텔개발자포럼(IDF)에서 “인텔에서 무어의 법칙은 계속되고 있다”면서 “세계 최초로 32나노 마이크로프로세서 생산을 시작했으며 22나노 제조 기술 개발도 진행하고 있다"며 시제품을 공개했다.

폴 오텔리니 사장이 선보인 22나노 웨이퍼는 3억6400만 비트 S램 메모리가 내장된 개별 다이로 구성되며 손톱 크기만한 면적에 29억 개의 트랜지스터가 들어간다. 이 제품들에는 0.092 제곱마이크론(square microns) 크기의 워킹 회로에서 사용되는 가장 작은 SRAM 셀이 내장된다. 이 디바이스들에는 성능 향상 및 누수 전력 감소를 위해 3세대 하이-k 메탈 게이트 트랜지스터 기술이 적용된다.

인텔의 32나노 프로세서 공정은 이미 검증되었으며, 웨스트미어(Westmere) 프로세서 웨이퍼 제품들은 4분기 제품 출시를 위해 공장에서 제조되고 있다.


인텔은 32나노로의 전환에 이어 차세대 마이크로아키텍처인 ‘샌디 브리지(Sandy Bridge)’를 소개할 계획이다. 샌디 브리지에는 프로세서 코어와 동일한 다이에 6세대 그래픽 코어가 내장되며, 부동 소수점과 미디어, 프로세서 집약적 소프트웨어를 위한 AVX 명령어가 포함된다.



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