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AI시대 선도하는 삼성…DS부문 전시관 공개

머니투데이
  • 라스베이거스(미국)=이재윤 기자
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  • 2024.01.12 03:25
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[CES2024]삼성전자 CES에서 첫 미디어 투어 진행...미래 반도체 한자리에

삼성전자가 CES2024에 마련한 반도체(DS) 부문 전시관 전경./사진=삼성전자
삼성전자가 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 진행되고 있는 CES 2024에서 DS부문 전시관을 공개했다. 삼성전자가 CES에서 국내·외 미디어에 DS부문 전시관을 공개 한 건 이번이 처음이다.

삼성전자 DS부문은 매년 CES에 참가해 글로벌 IT(정보기술) 고객과 파트너들에게 최신 제품을 소개하고 글로벌 반도체 기술 트렌드를 선도하고 있다.


삼성전자는 이번 전시를 반도체의 경쟁력을 한 자리에서 체험할 수 있게 기획했다. 가상 반도체 팹(Virtual FAB)을 통해 경기도 평택캠퍼스 내 가장 최신 공정인 P3공장과 미국 테일러 공장 건설 시황을 살펴볼 수 있었다. 반도체 제품은 △서버 △PC·그래픽 △모바일 △오토모티브(차량용 전자장비) △라이프스타일 등 5가지 주요 응용처별 솔루션 공간으로 전시했다.

생성형AI와 온디바이스 AI용 D램을 비롯해서 차세대 스토리지용 낸드플래시 솔루션과 2.5, 3차원 패키지 기술 등 차세대 메모리 제품을 전시하고 패키지 기술 등 차세대 기술을 선보이며 기술 경쟁력을 강조했다.

한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 "AI와 머신러닝(ML), 클라우드 컴퓨팅 시장이 급격히 성장하고 있다"며 "삼성전자는 AI 시대에 최적화된 다양한 최첨단 메모리 솔루션을 적기에 개발해 패러다임 변화를 주도해 나가겠다"고 말했다.


메모리 반도체 전시 공간에서는 5세대 HBM(고대역폭메모리) 제품 HBM3E '샤인볼트(Shinebolt)'와 △12나노급 32기가비트(Gb) DDR5(더블데이터레이트) D램 △CXL(컴퓨트익스프레스링크) 메모리 모듈 CMM-D 등을 선보였다. HBM3E는 이전 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선 된 신제품이다.

모바일 메모리와 관련해서는 저전력 반도체(Low power)인 △8.5Gbps LPDDR5X D램 △LPDDR5X-PIM △LLW(Low Latency Wide I/O) D램 등을 공개했다. 초당 8.5기가비트를 처리하는 LPDDR5 X D램은 14나노미터(nm) 공정을 활용해 이전 세대 대비 전력 효율을 20% 개선했다. 이들 제품은 네트워크 없이도 자체적으로 정보를 수집·연산하는 온디바이스AI에 주로 사용된다.

서버용 낸드플래시 솔루션 △PM9D3a △PBSSD(페타바이트 스케일 SSD) 등도 전시했다. PCIe 5.0 기반 SSD PM9D3a는 초대형 데이터센터에 적합한 제품이다. 초당 최대 1만2000MB(메가바이트), 6800MB의 연속 읽기·쓰기 속도를 제공한다. PBSSD는 사용처에 따라 용량을 가변할 수 있는 페타바이트(PB)급 초고용량 솔루션이다.

삼성전자는 첨단 패키지 기술도 선보였다. 여러 반도체를 수평으로 혹은 수직으로 연결하는 이종집적 기술의 역할이 중요해지고 있다. 삼성전자 AVP사업팀은 차세대 패키지 제품인 u-Bump형 X-큐브를 양산 중이며, 2026년 Bumpless형 X-큐브를 선보일 계획이다.



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