SK하이닉스, 美인디애나주에 차세대 HBM 생산기지 건설...5.2조 투입

SK하이닉스 경기도 이천 M14 공장 전경/사진=SK하이닉스

SK하이닉스가 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI(인공지능) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설한다. SK하이닉스는 2028년 하반기부터 이곳 인디애나 공장에서 차세대 HBM(고대역폭메모리) 등 AI 메모리 반도체를 양산하고, 퍼듀 대학교 등 현지 연구기관과 협력해 연구 개발(R&D)에 나설 계획이다.

SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 위치한 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미국 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이같은 계획을 공식 발표했다.


이날 행사에는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 미 상원의원(인디애나), 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 미국 상무부 차관보, 데이비드 로젠버그 인디애나 주 상무장관, 멍 치앙 퍼듀대 총장, 미치 대니얼스 퍼듀 연구재단 이사장, 에린 이스터 웨스트라피엣 시장 등 미국 측 인사와 한국 정부에서 조현동 주미 한국 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다.

SK그룹은 유정준 미주 대외협력 총괄 부회장, SK하이닉스 곽노정 최고경영자(CEO), 최우진 부사장(P&T 담당) 등 경영진이 참석했다.

SK하이닉스는 "인디애나 공장에서 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정"이라며 "이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라고 밝혔다. 이어 "인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 덧붙였다.


지난해 AI시대가 본격화하면서 HBM 등 초고성능 메모리 수요가 급증한 가운데, SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 부지를 물색해 왔다.

SK하이닉스는 다양한 후보지를 검토한 끝에 인디애나주를 최종 투자지로 결정했다. 주 정부가 적극적으로 투자 유치에 나섰고, 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부한 것도 긍정적이었다. 반도체 등 첨단 공학연구로 잘 알려진 퍼듀대가 있다는 점도 높은 평가를 받았다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"며 "이번 투자를 통해 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체 및 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.

한편, SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질없이 추진한다고 밝혔다. SK하이닉스는 "120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창"이라며 "회사는 이곳에 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공할 것"이라고 밝혔다. 이어 "소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'도 건설할 계획"이라고 덧붙였다.