내년부턴 '맞춤형 HBM'…삼성전자 vs SK하이닉스 경쟁 본격화

머니투데이

유선일 기자

삼성전자와 SK하이닉스 간 '고객 맞춤형 HBM(고대역폭메모리)' 시장 경쟁이 시작된다. 범용과 달리 맞춤형 HBM 제작을 위해선 파운드리(반도체 위탁생산) 선단공정 기술이 필수다. 삼성전자는 자체 기술로, SK하이닉스는 TSMC와 기술 협력으로 각각 수요에 대응한다는 목표다.

1일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 내년 하반기 출시 예정인 HBM4(6세대 HBM)부터 맞춤형 제품 시장이 개화할 것으로 보고 관련 준비를 진행하고 있다.

맞춤형 HBM은 각 고객사 요구를 반영해 만든 제품이다. 지금은 표준 규격에 따라 각 메모리 업체가 만드는 '범용 HBM'이 주류다. 그러나 각 고객사가 성능을 최적화한 HBM을 요구하는 경우가 점차 늘면서 메모리 업체는 맞춤형 제품 개발에 공을 들이고 있다.

최근 삼성전자는 현재 개발 중인 HBM4와 관련해 "맞춤형 제품 개발을 진행 중"이라며 "복수의 고객들과 세부 스펙에 대해 협의를 시작했다"고 밝혔다. 앞서 삼성전자는 파운드리 포럼, 뉴스룸 인터뷰 등을 통해 HBM4부터 맞춤형 시장을 적극 공략할 계획임을 밝혔다.

삼성전자는 자체 파운드리 기술을 강점으로 내세운다. 맞춤형 HBM은 여러 층으로 구성된 D램의 하단부에 깔리는 '로직 다이(Logic Die)'에 초미세 공정을 적용해 고객사가 요구하는 기능을 구현한 제품이다. 초미세 공정을 적용하려면 파운드리 전문 기업의 기술이 필요하다. 삼성전자는 팹리스(설계)·파운드리·메모리 등 전 분야를 아우르는 종합반도체기업(IDM)이라는 점에서 맞춤형 HBM 제작에 강점이 있는 것으로 평가된다.

[이천=뉴시스] 김종택 기자 = 경기도 이천시 SK하이닉스 본사 모습. 2024.07.25. [email protected] /사진=김종택

범용 HBM 시장을 이끌고 있는 SK하이닉스는 맞춤형 시장에서도 선두를 내주지 않겠다는 의지다. 삼성전자와 마찬가지로 내년 하반기 HBM4 출시를 목표로 정하고 맞춤형 제품 개발에 속도를 내고 있다.

SK하이닉스는 맞춤형 HBM 제작을 위해 대만 파운드리 기업 TSMC와 협력 중이다. 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 로직 다이를 만들었다. 그러나 HBM4부터는 로직 다이 생산에 초미세 공정을 적용하기 위해 TSMC와 손을 잡았다.

한편 SK하이닉스는 맞춤형 HBM 수요 확대로 일각에서 제기되는 공급 과잉 우려도 해소될 것으로 내다보고 있다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 지난 5월 기자간담회에서 "HBM4 이후가 되면 맞춤형 수요가 증가하면서 트렌드화 되고 결국 점점 수주형 비즈니스쪽으로 가면서 공급 과잉 리스크는 줄어들 것"이라고 했다. SK하이닉스는 2분기 실적발표 후 콘퍼런스콜에서도 "메모리 산업은 과거 '소품종 대량생산' 구조에서 '다품종 소량생산'으로 제품이 다양하게 늘고 있다"며 "고객이 원하는 제품을 장기 공급하는 주문형 산업으로 발전하게 될 것"이라고 밝혔다.