삼성·하이닉스 차세대반도체 개발 손잡는다

-삼성·하이닉스 STT-MRAM 공동 개발
-중소기업 기술지도 강화, 국산화율 높여
-시스템반도체 중점 지원, 2015년 세계시장 10% 목표

삼성전자와 하이닉스반도체가 메모리 반도체 1위 수성을 위해 손잡는다. 또 상대적으로 뒤진 시스템반도체(비모메리반도체) 분야를 육성하기 위해 국내 반도체 업계가 공동 전선을 펴기로 했다.


권오현 삼성전자 사장과 김종갑 하이닉스 사장, 오영환 동부하이텍 사장, 황기수 코아로직 사장 등 국내 반도체 업계 대표는 25일 이윤호 지식경제부 장관 주선으로 서울 역삼동 르네상스호텔에서 반도체산업 기술협력 협약을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다.

이들 업체 대표는 이 자리에서 '신 메모리 공동 연구개발(R&D)', '반도체 산업 표준화', '장비·재료 국산화 확대' 등 반도체 3대 기술 협력을 적극 추진하기로 합의했다.

우선 삼성전자와 하이닉스는 테라비트급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위해 오는 9월부터 공동R&D를 시작하기로 했다. 두 회사는 2012년부터 시장이 형성될 것으로 예상되는 수직자기형 비휘발성 메모리(STT-MRAM)도 공동 개발할 계획이다.


지경부 관계자는 "1995년~2001년 삼성과 현대, LG가 공동으로 세계 최초로 64M D램을 개발해 2000년대 메모리 반도체 1위로 도약한 것처럼 이번 공동 R&D도 2010년대 차세대 메모리 1위로 나아가는 중요한 계기가 될 전망"이라고 말했다.

이와 함께 지경부와 반도체업계는 차세대 반도체 제품 및 장비·재료 시장을 선점하고 국내 생산라인 효율성을 증대하기 위해 업계 공동의 표준화 전략을 추진하기로 했다.

업계는 2012년 웨이퍼 규격이 300mm에서 450mm로 전환할 것에 대비해 오는 8월 산·관·학 공동의 '표준화 협의체'를 구성할 예정이다. 동시에 업계는 기존 300mm 장비와 재료의 생산 효율성을 높이기 위한 대책도 마련하기로 했다.

아울러 삼성과 하이닉스, 동부 등 대기업 3사는 국산 장비·재료에 대한 성능 평가와 공동 인증, 구매 검토 과정에서 관련 중소기업들에 대한 기술 지도를 강화하기로 했다.

특히 삼성전자와 하이닉스는 반도체 장비·재료 국산화율을 높이기 위해 '국산화 전략'을 병행 추진해 내년까지 국산 장비·재료를 총 6463억원어치 구매할 계획이다.

나아가 업계는 시스템반도체 산업에 대한 지원을 강화하기 위해 시스템반도체 업계 중심의 IT-SoC 협회를 한국반도체산업협회에 통합시키기로 했다. 이날 반도체산업협회는 임시총회를 개최해 신임 회장으로 권오현 사장을 선출하고 IT-SoC 협회와의 통합을 의결했다.

시스템반도체는 휴대폰이나 가전제품, 자동차 등의 핵심 기능을 하나의 칩에 집약시킨 것을 말하며 전체 반도체 시장의 80%를 점유하고 있다. 지난해 기준으로 우리 업체들의 세계 메모리 반도체 시장 점유율은 44.2%이나 시스템반도체 시장 점유율은 2.4%에 불과하다.

이에 지경부도 2015년 세계 시스템반도체 시장 점유율을 10%로 확대하는 것을 목표로 연구 개발부터 해외 마케팅까지 전 과정을 지원할 계획이다.