DDR3서 더 벌어지는 D램업계 실력差

D램 시장의 차세대 주력 제품인 DDR3 D램에 대한 업계의 대응이 빨라지면서 삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내 D램 업체들과 해외업체들의 경쟁력 차이가 더욱 두드러지고 있다.

삼성전자 (63,000원 ▼100 -0.16%)와 하이닉스 (157,100원 ▲4,300 +2.81%)가 이미 50나노대 공정으로 DDR3 제품을 생산하고 있는 가운데 D램 세계 3위인 미국의 마이크론테크놀로지가 최근 68나노 공정을 적용한 새 DDR3 제품을 내놨다.


◇마이크론, 68나노 공정 DDR3 출시=22일 외신 및 관련업계에 따르면 마이크론테크놀로지는 1.35볼트(V)의 소비전력으로 초당 1333메가헤르츠(MHz)의 데이터 처리 속도를 내는 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 출시한다고 지난 19일 발표했다. 이는 2Gb 모듈까지 적용가능하며, 올해 가을에는 4Gb 용량 샘플 제품까지 내놓을 예정이다.

로버트 피욜 마이크론 D램 부문 부사장은 "새 제품은 DDR3의 높은 성능을 유지하면서도 소비 전력이 1.35V로 DDR3 표준인 1.5V보다 20% 가량 낮다"고 말했다.

업계 4위의 일본 엘피다메모리도 지난달 1.35V DDR3 D램 샘플을 발표하고, 내년 초부터 본격 양산하겠다고 밝혔다.


◇삼성-하이닉스, 50나노로 양산, 하반기 40나노=세계 1, 2위인 삼성전자와 하이닉스는 이들 보다 1년 정도 앞서 50나노미터급 공정으로 DDR3 D램을 생산해 이미 1.35V의 소비전력을 구현하고 있다. 업계 관계자는 "1.35V DDR3 제품은 아직 채용률이 낮다"며 "삼성전자와 하이닉스도 1.35V 제품을 생산할 수 있지만 주로 1.5V 제품을 만들고 있다"고 말했다.

두 회사가 나란히 올해 안에 40나노급 공정으로 DDR3 D램을 양산할 계획을 갖고 있는 것과 달리, 해외 경쟁사들은 아직 50나노급 공정도 적용하지 못하고 있다. 마이크론이 이번에 출시한 제품도 68나노 공정이 적용됐다.

마이크론 관계자는 "50나노대 공정이 적용된 제품은 올해 말이나 내년 초에 나올 예정"이라고 말했다.

업계에 따르면 80나노대 공정에서는 DDR2보다 DDR3의 칩 크기가 약 22~23%정도 커져 같은 크기의 웨이퍼에서 생산되는 제품 수가 그만큼 줄어들게 된다. 60나노급 에서는 차이가 약 7% 정도로 줄어들고, 50나노급에서는 비슷해진다.

업계 관계자는 "결국 DDR3를 생산하더라도 50나노에서 DDR3를 생산 못하면 원가가 크게 높아질 수 밖에 없다"고 말했다.

◇올 연말에서 내년 상반기 주력제품 교체=업계에 따르면 올해 말에서 내년 상반기 국내 D램 선두기업들의 DDR3 D램 생산비중이 현재 주력인 DDR2 D램의 비중을 넘어설 것으로 예상되고 있다. 현재 DDR3 비중은 10%대 중후반 정도로 추정된다.

CPU업체인 인텔의 경우 데스크탑 및 노트북에 올해 하반기부터 출시되는 모든 플랫폼에 DDR3를 채용할 예정이며, AMD도 데스크탑에 대해서는 2009년 하반기부터 DDR2와 DDR3를 혼용 가능한 플랫폼을 출시한다. 노트북은 내년 상반기에 DDR3 전용 플랫폼을 출시할 예정이다.

DDR3 D램은 DDR2 대비 낮은 전력소모, 빠른 동작속도, 큰 용량 등을 특징으로 한다. 동작 전압이 1.5V 또는 1.35V로 DDR2의 1.8V 대비 약 30%의 전력 소모를 줄일 수 있다. 동작 속도도 평균 1066Mbps, 최대 1600Mbps를 구현해 DDR2 대비 2배 이상 빠르다. 지원 용량도 256Mb~4Gb인 DDR2 대비 2배 가량 높은 512Mb~8Gb다. DDR4가 출시될 것으로 예상되는 2014년까지 5년 간 D램 시장을 주도할 것으로 예상된다.