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하이닉스 내년 2.3조 투자 '올해 2.3배'

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하이닉스 내년 2.3조 투자 '올해 2.3배'

머니투데이
  • 진상현 기자
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  • 2009.12.24 15:45
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(상보)40나노대 공정전환, 낸드 생산능력 확충에 사용..예년보다는 적은 수준

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하이닉스 (236,000원 ▲6,000 +2.61%)반도체가 내년에 2조3000억 원 규모로 시설투자에 나선다. 올해 1조원 보다는 2배 이상 많지만 예년 수준과 비교하면 적은 편이다.

하이닉스는 해외 법인을 포함해 2조3000억 원의 시설투자를 계획하고 있다고 24일 공시했다.


하이닉스는 당초 최소 1조5000억 원을 내년에 투자한다는 방침이었고 이번에 내년 투자 계획을 확정했다.

내년 투자 규모는 출혈경쟁의 여파가 절정에 달했던 올해 1조원 보다는 1조3000억 원 많지만 06년 4조3000억 원, 07년 4조8000억 원, 08년 2조6000억 원보다는 적다. 대규모 투자가 필요한 신규 라인 증설 보다는 미세 공정 업그레이드 위주의 투자가 이뤄지는 영향이다.

미세 공정이 도입하면 동일 웨이퍼로부터 얻는 칩수가 늘어나 가격 경쟁력이 높아지고 생산 물량을 늘이는 효과가 있다. 투자는 주력인 D램의 40나노미터(㎚)대 공정으로의 업그레이드, 낸드플래시 생산 능력 확충, 연구개발(R&D) 등에 집중할 계획이다.


낸드플래시는 현재 월 4만5000만장(투입 원판 기준) 정도인 생산 능력을 내년 말까지 두 배 수준으로 끌어 올린다는 계획이다. 연구개발비는 매출액 대비 10% 선을 유지키로 했다.

삼성전자는 앞서 올해 반도체 투자를 4조 원 정도 추정하고, 내년에는 메모리 부문에만 5조5000억 원 이상을 투자할 계획이라고 밝혔다.

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