26조 시장 잡는다…DB하이텍, 5G향 RF 사업 본격 확대

DB하이텍 부천공장/사진=머니투데이DB

DB하이텍 (52,700원 ▲1,900 +3.74%)이 130㎚(나노미터·10억 분의 1m)·110㎚ 기술을 기반으로 RF SOI(고주파 실리콘 온 인슐레이터)와 RF HRS(고 저항성 기질) 공정을 확보해 RF프론트엔드 사업 확대에 본격적으로 나섰다고 12일 밝혔다.

RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품이다. IT기기간 송신·수신을 담당하며 스마트폰, IoT(사물인터넷) 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용되고 있다. 일반적으로 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기(PA) 등 각각의 부품이 모인 모듈 형태로 구성된다.


5G 시대로의 발전으로 고주파, 고감도의 특성을 가진 고성능 통신에 대한 수요가 지속적으로 확대되는 가운데 RF 프론트엔드의 중요성도 점점 더 높아지고 있다. RF프론트엔드 시장은 2019년 124억달러(약 14조7535억원) 수준에서 2025년 217억달러(25조8186억원) 수준까지 가파른 성장이 전망된다.

RF프론트엔드 내 여러 부품 중에서 DB하이텍이 겨냥하는 제품은 스위치와 LNA다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 온오프 하는 역할을 하고 LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달한다. 고속통신에 가장 핵심적인 제품이다.

DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 성능을 대폭 개선했다.


130㎚ 기술을 기반으로 한 RF SOI 공정의 경우 스위치의 FOM(성능지수)이 84fs, BV(항복전압)가 4.4V로 세계 최고 수준의 성능을 보유하고 있다. LNA 올해 상반기 내에 150GHz(기가헤르츠) 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 준비하고 있다.

110㎚ 기술 기반의 RF HRS 공정은 우수한 가격경쟁력을 갖췄다. FOM은 164fs이고 BV는 4.6V이다. 100GHz 차단주파수 성능을 가진 LNA 소자를 보유 중이다. 올 상반기까지 150GHz 이상의 LNA 제품을 지원할 계획이다.

DB하이텍은 팹리스 고객들이 RF프론트엔드 시장에 적기에 진입할 수 있도록 고객 지원에 적극적으로 나서고 있다고 전했다. 특히 고객사의 개발비 절감을 위해 분기별로 MPW(멀티프로젝트웨이퍼)를 운영 중이라 밝혔다. MPW는 개발비 절약을 위해 웨이퍼 한장에 여러 반도체 시제품을 제작하는 것을 말한다.