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'황의 법칙'? "반도체 집적도 1년에 2배씩 증가"

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'황의 법칙'? "반도체 집적도 1년에 2배씩 증가"

머니투데이
  • 최종일 기자
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  • 2007.10.23 09:51
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삼성전자, 30나노 64Gb 낸드플래시 개발로 8년 연속 입증

'황의 법칙'이란 황창규 삼성전자 반도체총괄 사장이 2002년 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체회로학술회의(ISSCC) 총회에서 발표한 반도체 메모리 신성장론이다.

이 법칙은 반도체 메모리 집적도가 1년에 2배씩 증가하며 모바일 기기와 디지털 가전제품 등이 그 성장을 주도할 것이라는 요지다.


삼성전자는 2002년 90나노 2Gb(기가비트)를 개발한 데 이어 2003년 70나노 4Gb, 2004년 60나노 8Gb, 2005년 50나노 16Gb 낸드플래시를 매년 내놓으면 '황의 법칙'을 입증해 왔다.

삼성전자는 이어 지난해 40나노 32Gb을 선보인 데 이어 올해도 30나노 64Gb 낸드플래시 개발에 성공하며 '황의 법칙'을 8연 연속 입증하고 있다.

특히 황의 법칙은 인텔의 창업자인 고든 무어가 주장한 기존 '무어의 법칙'을 대체하며 업계의 정설로 자리를 굳혀가고 있다. 무어의 법칙은 반도체의 집적도가 18개월마다 2배씩 증가하며 PC가 이를 주도한다는 이론이다.


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