하이닉스, 내년초 16기가 낸드 양산 돌입

머니투데이

김진형 기자

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하이닉스반도체가 내년초 16기가 낸드플래시 양산을 시작한다. 16기가 양산은 삼성전자, 도시바에 이어 세번째이지만 하이닉스는 48나노를 적용할 예정이어서 두 회사보다는 생산성이 높을 것으로 예상된다.

하이닉스 (237,000원 ▲12,000 +5.33%)는 4일 최근 48나노 공정을 적용한 16Gb(기가비트) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시 제품 개발을 끝내고 이달 중 샘플을 글로벌 고객사에 공급한다고 밝혔다. 이어 내년 1월에 본격적으로 양산을 시작할 예정이다.

16기가 양산은 삼성전자와 도시바에 이어 세번째다. 삼성전자는 지난 4월말에 51나노 공정으로, 도시바는 올 하반기에 56나노 공정으로 각각 16기가 낸드플래시 양산을 시작한 바 있다.

하이닉스의 16기가 양산이 의미를 갖는 것은 두 회사보다 좀더 미세회로 공정인 40나노급으로 시작한다는 점이다. 40나노급 16기가 양산은 하이닉스가 세계 최초다.

48나노 제품은 하이닉스가 현재 양산중인 60나노 제품에 비해 생산성이 90%, 57나노에 비해서는 60% 이상 각각 향상된다고 하이닉스는 밝혔다. 특히 삼성전자와 도시바에 비해서는 각각 10%, 20% 정도 생산성이 높다는게 하이닉스의 설명이다.

하지만 업계 일각에서는 하이닉스의 48나노와 삼성전자의 51나노는 미세공정상 큰 차이가 없고 삼성전자는 이미 수율이 안정화된 상태인 반면 하이닉스는 내년 1월 양산에 들어가 수율 안정화까지 시간이 걸린다는 점을 감안하면 큰 차이가 없을 것이라는 지적도 하고 있다. 게다가 삼성전자는 내년 하반기에는 40나노급 32기가 낸드플래시를 양산할 예정이다.

하이닉스는 내년 1월 투입되는 웨이퍼 기준으로 수천장 선에서 양산을 시작해 1분기 안에 월 평균 1만5000~2만장 규모까지로 생산량을 늘릴 방침이다. 하이닉스는 이 제품을 300mm(12인치) 웨이퍼 공장인 경기도 이천의 M10라인과 현재 건설중인 충청북도 청주 M11 라인에서 양산할 계획이다.

한편 낸드플래시는 뮤직폰 등 모바일 기기와 하드디스크 대체 제품인 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 수요가 확대되고 있고 폭락을 거듭하고 있는 D램에 비해 상대적으로 가격이 안정돼 있는 상태다.

하이닉스는 올 2분기부터 낸드플래시 생산 증대에 나서 지난 3분기말 기준으로 낸드플래시 시장에서 시장점유율 19.3%를 기록하며 업계 3위를 차지했다. 순위에서는 변동이 없었지만 점유율은 2분기말에 비해 4.3%p 높이며 약진한 바 있다.