MTIR sponsor
ÀüÀå¿ë ¹ÝµµÃ¼¡¤¸ðµâ Àü¹®±â¾÷ ¾ÆÀÌ¿¡ÀÌÀÇ ÀÚȸ»ç 'Æ®¸®³ëÅ×Å©³î·ÎÁö'°¡ »ê¾÷Åë»óÀÚ¿øºÎ°¡ ÁÖ°üÇÏ´Â '¼ÒºÎÀå À¸¶ä±â¾÷'À¸·Î ¼±Á¤µÆ´Ù. IGBT(Àý¿¬ °ÔÀÌÆ® ¾ç±Ø¼º Æ®·£Áö½ºÅÍ) Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ßÀÇ Àü¹®¼º°ú ±â¼ú·ÂÀ» °øÀι޾Ҵٴ Æò°¡´Ù.
¾ÆÀÌ¿¡ÀÌ´Â 14ÀÏ ÀÚȸ»ç Æ®¸®³ëÅ×Å©³î·ÎÁö°¡ 2022³â Á¦2±â ¼ÒºÎÀå À¸¶ä±â¾÷À¸·Î ¼±Á¤µÆ´Ù°í ¹àÇû´Ù. Æ®¸®³ëÅ×Å©³î·ÎÁö´Â Áö³ 10ÀÏ ¹®½Â¿í »êÀںΠÀå°ü µîÀÌ Âü¼®ÇÑ ¼ÒºÎÀå À¸¶ä±â¾÷ ÁöÁ¤½Ä¿¡ Âü¼®ÇØ 21°³ ÁÖ¿ä À¸¶ä±â¾÷µé°ú ¾î±ú¸¦ ³ª¶õÈ÷ Çß´Ù.
¼ÒºÎÀå À¸¶ä±â¾÷À̶õ Á¤ºÎ°¡ ¼ÒÀç, ºÎǰ, Àåºñ ºÐ¾ß 100´ë ÇÙ½ÉÀü·«±â¼ú ºÐ¾ß¿¡ ±¹³» ÃÖ°í ¿ª·®°ú ¹Ì·¡ ¼ºÀå °¡´É¼ºÀ» º¸À¯ÇÑ ±â¾÷À» ¹ß±¼ÇØ ±Û·Î¹ú ±â¾÷À¸·Î À°¼ºÇϱâ À§ÇÑ »ç¾÷ÀÌ´Ù.
2±â À¸¶ä±â¾÷Àº ÇÙ½É Àü·«±â¼úÀ» º¸À¯ÇÑ 218°³ ±â¾÷À» ´ë»óÀ¸·Î °¢ ºÐ¾ß 210¸íÀÇ Àü¹®°¡°¡ 4´Ü°è(¼¸é, ÇöÀå½Ç»ç, ½ÉÃþ, Á¾ÇÕ) Æò°¡¸¦ °ÅÃÄ ÃÖÁ¾ 21°³ ±â¾÷À» ¼±¹ßÇÏ´Â ¹æ½ÄÀ¸·Î ÁøÇàµÆ´Ù. Æ®¸®³ëÅ×Å©³î·ÎÁö´Â Àü±âÀüÀÚºÐ¾ß À¸¶ä±â¾÷¿¡ À̸§À» ¿Ã·È´Ù. Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡¼ ±¹³» ÃÖ°í ¼öÁØÀÇ ±â¼ú·Â°ú ±Û·Î¹ú ±â¾÷À¸·Î¼ÀÇ ¼ºÀå °¡´É¼ºÀ» ÀÎÁ¤¹Þ¾Ò´Ù´Â Æò°¡´Ù.
Æ®¸®³ëÅ×Å©³î·ÎÁö´Â ÇâÈÄ ±Û·Î¹ú °æÀï·ÂÀ» °®Ãá ±â¾÷À¸·Î ¹ßµ¸¿òÇϱâ À§ÇØ ±â¼ú·ÂÀ» °ÈÇÏ´Â ÇÑÆí, 5³â°£ ÃÖ´ë 250¾ï(¿¬°£ 50¾ï¿ø) ±Ô¸ðÀÇ R&D Áö¿ø, ±â¾÷ ºÎ´ã±Ý ´ëÆø ¿ÏÈ, °ø°ø±â°ü Å×½ºÆ®º£µå Ȱ¿ë ½ÇÁõÆò°¡ Áö¿ø, »ê¾÷±â¼úÁ¤Ã¥ ÆÝµå µîÀ» Á¦°ø¹Þ´Â´Ù. ±Û·Î¹ú ½ÃÀå ÁøÃâÀ» À§ÇÑ ¸ÂÃãÇü Àü·« ÄÁ¼³ÆÃ, ÇØ¿Ü ¿Â¡¤¿ÀÇÁ¶óÀÎ Àü½Ãȸ Âü¿© µîµµ Áö¿ø¹Þ´Â´Ù.
Æ®¸®³ëÅ×Å©³î·ÎÁö °ü°èÀÚ´Â "½Ç¸®ÄÜ ±â¹ÝÀÇ IGBT Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¸¦ Áß½ÉÀ¸·Î ½ÅÀç»ý ¿¡³ÊÁö¡¤Àü±âÂ÷ ½ÃÀå¿¡ ÁøÀÔÇØ ±â¼ú·ÂÀ» ÀÎÁ¤¹Þ¾ÒÀ¸¸ç, À̸¦ ¹ÙÅÁÀ¸·Î °íÈ¿À²¼º, °í½Å·Ú¼ºÀÌ ¿ä±¸µÇ´Â Â÷¼¼´ë SiC(źȱԼÒ) ´ÙÀÌ¿Àµå ¹× MOSFET(»êȸ· ¹ÝµµÃ¼ Àü±âÀå È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ) Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ±¹»êȸ¦ ÃßÁøÇϰí ÀÖ´Ù"°í ¸»Çß´Ù.
À̾î "¿¬°£ 10¸¸Àå »ý»ê ±Ô¸ðÀÇ 6ÀÎÄ¡ ±â¹Ý SiC ¼ÒÀÚ Àü¿ë »ý»ê Ç÷§ÆûÀÇ ´Ü°èÀû ±¸ÃàÀ» ÃßÁøÇϰí ÀÖ´Ù"¸é¼ "±³Åë ÀÎÇÁ¶ó, Àη Ȯº¸¿¡ À¯¸®ÇÑ Èĺ¸Áö¸¦ °áÁ¤ÇßÀ¸¸ç ÇØ´ç Áö¿ªÀÇ ´ã´ç ±â°ü°ú ÅõÀÚ °èȹÀ» ÇùÀÇ Áß"À̶ó°í µ¡ºÙ¿´´Ù.
Æ®¸®³ëÅ×Å©³î·ÎÁö´Â 2008³â ¼³¸³µÈ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Àü¹®±â¾÷À¸·Î IGBT, MOSFET, ´ÙÀÌ¿Àµå µî Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¸¦ ÁÖ·Â °³¹ß, »ý»êÇϰí ÀÖ´Ù.