업황 나빠도 투자는 지속..SK하이닉스 1조 들여 中공장 D램 생산능력↑

머니투데이

최석환 기자

이석희 SK하이닉스 대표가 18일 중국 우시에서 기존 D램 생산라인인 'C2'를 확장한 C2F 준공식에 참석, 환영사를 하고 있다./사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스 중국 우시 C2 공장 전경/사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스 (177,800원 ▲7,200 +4.22%)가 반도체 업황이 하락세를 보이고 있는 국면에서도 선제적으로 D램(DRAM) 경쟁력 강화에 나섰다.

이와 관련해 SK하이닉스는 18일 중국 우시에서 기존 D램 생산라인인 'C2'를 확장한 C2F 준공식을 개최했다.

‘새로운 도약, 새로운 미래’라는 주제로 열린 이날 행사엔 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 장쑤성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표, 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.

앞서 SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 회사 성장에 큰 역할을 담당해왔다.

이석희 SK하이닉스 대표가 18일 중국 우시에서 기존 D램 생산라인인 'C2'를 확장한 C2F 준공식에 참석, 환영사를 하고 있다./사진제공=SK하이닉스

하지만 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. 이에 SK하이닉스는 2017년 6월부터 올해 4월까지 총 9500억원을 투입해 추가로 반도체 생산공간(C2F)을 확보했다. 향후 시장 상황에 따라 중장기적으로 C2F 건설 비용을 포함해 86억 달러 규모(약 9조7800억원)의 장비 투자가 이어질 전망이다.

이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡(1만7500평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. 시장조사기관 IHS에 따르면 기존 우시공장에선 매달 웨이퍼 13만장을 생산하고 있다. SK하이닉스 전체 생산량의 약 40%가 되지 않는 규모다.

이번 C2F 가동으로 18만장까지 생산량이 늘어날 것으로 예상된다. 업계에선 회사 전체 생산량에서 우시 공장이 차지하는 비중이 40~50%로 확대될 것으로 보고 있다.

SK하이닉스는 이미 C2F의 일부 클린룸 공사를 끝내고 장비를 입고해 D램 생산에 들어갔다.

강영수 우시FAB담당 전무는 "C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다"며 "C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영함으로써 우시 팹의 생산∙운영 효율을 극대화할 것"이라고 말했다. 그러면서 "향후 추가적인 클린룸 공사와 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정"이라고 덧붙였다.