±è´ëÇö °æºÏ´ë ±³¼ö(°æºÏ´ë Á¦°ø)© ´º½º1 |
°æºÏ´ë¿¡ µû¸£¸é ±è ±³¼ö¿Í Á¶Çöºó ¹Ú»ç°úÁ¤»ýÀº ±¹³» Áß°ß±â¾÷ Å¥¿¡½º¾ÆÀÌ·ÀϺ» À̵¿Åë½Å»ç NTT ¿¬±¸Áø°ú °øµ¿À¸·Î °íÀüÀÚ À̵¿µµ ÀüÀÚ¼ÒÀÚ(°íÀüÀÚ À̵¿µµ Æ®·£Áö½ºÅÍ·High-Electron-Mobility transistor, HEMT)¸¦ °³¹ßÇß´Ù.
ÀüÀÚ¼ÒÀÚ´Â ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Á¤º¸ ó¸® ¼Óµµ µîÀ» °áÁ¤ÇÏ´Â ÇÙ½É ºÎÇ°ÀÌ´Ù.
±è ±³¼öÆÀÀÌ °³¹ßÇÑ ÀüÀÚ¼ÒÀÚ´Â ¹ÝµµÃ¼ ³ª³ë Á¦ÀÛ°øÁ¤À» È°¿ëÇØ Àü±â, ÀüÆÄ µî ÀÔ·Â ½ÅÈ£¿¡ ¹ÝÀÀÇÏ´Â µ¿ÀÛ ¼Óµµ°¡ ±âÁ¸ ÃÖ´ë ¼Óµµ(700§×)º¸´Ù ºü¸¥ 738§×(±â°¡Ç츣Ã÷)±ÞÀÌ´Ù.
ÀÌ ÀüÀÚ¼ÒÀÚ´Â Â÷¼¼´ë À̵¿Åë½Å ±â¼úÀÎ 6G¿Í ¾çÀÚ ÄÄÇ»Æà ±â¼ú ºÐ¾ß ÇÙ½É ¼ÒÀç ¹× ºÎÇ°À¸·Î »ç¿ëµÉ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁµÈ´Ù.
±è ±³¼ö´Â "6G¿Í °°Àº Â÷¼¼´ë À̵¿Åë½Å ½Ã½ºÅÛ ±¸ÇöÀ» À§ÇØ °í¼º´É·´Ù±â´É ¹ÝµµÃ¼ ÀüÀÚ¼ÒÀÚ °³¹ßÀº Çʼö´Ù"¸ç "À̹ø ¿¬±¸ ¼º°ú·Î Å׶óÇ츣Ã÷(§Ø)´ë¿ªÀÇ ÀüÀÚ ½Ã½ºÅÛ ¼ÒÇüÈ¿Í ÁýÀûÈ, °í¼º´Éȸ¦ ¾Õ´ç±æ ¼ö ÀÖÀ» °Í"À̶ó°í ¸»Çß´Ù.
À̹ø ¿¬±¸ °á°ú´Â ÀÛ³â 12¿ù 18ÀÏ ¿¸° ±¹Á¦¹ÝµµÃ¼¼ÒÀÚÇÐȸ(IEDM)¿¡¼ ¹ßÇ¥µÆ´Ù.
<ÀúÀÛ±ÇÀÚ © ´º½º1ÄÚ¸®¾Æ, ¹«´ÜÀüÀç ¹× Àç¹èÆ÷ ±ÝÁö>