![]() |
NHÅõÀÚÁõ±ÇÀÌ ¼Öºê·¹ÀÎ (227,000¿ø ¡ã2,000 +0.89%)¿¡ ´ëÇÑ ÅõÀÚÀǰßÀ» '¸Å¼ö'·Î À¯ÁöÇÏ°í ¸ñÇ¥ÁÖ°¡¸¦ 25¸¸¿ø¿¡¼ 27¸¸¿øÀ¸·Î »óÇâ Á¶Á¤Çß´Ù. GAA(Gate All Around) °øÁ¤ÀÌ ½ÃÀÛµÇ¸é¼ ¼öÇý¸¦ ÀÔÀ» °ÍÀ̶õ ÀǰßÀÌ´Ù.
2ÀÏ µµÇö¿ì NHÅõÀÚÁõ±Ç ¿¬±¸¿øÀº "¸®½ºÅ© °ü¸® Â÷¿ø¿¡¼ ±âÁ¸¿¡ ÁÖ·Î °Å·¡ÇÏ´Â TSMC¿¡¼ »ï¼ºÀüÀÚ¸¦ Ãß°¡½ÃÄÑ ÀÌ¿øÈÇÏ·Á´Â ¸ÖƼ ÆÄ¿îµå¸® ¼ö¿ä°¡ ¹Ì±¹ ÆÕ¸®½º¿¡¼ ´Ã°í ÀÖ´Ù"¸ç "ÀÌ·Î ÀÎÇØ 3nm(³ª³ë¹ÌÅÍ) °øÁ¤¿¡¼ »ï¼ºÀüÀÚ ÆÄ¿îµå¸®°¡ ¼öÇý¸¦ º¼ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ¸ç °í°´»ç 3nm °øÁ¤ ¾ç»êÀÌ ¼Öºê·¹ÀÎÀÇ ¼öÇý·Î µ¹¾Æ°¥ °Í"À̶ó°í Çß´Ù.
µµ ¿¬±¸¿øÀº "3nm GAA °øÁ¤¿¡ ¼Öºê·¹ÀÎÀÌ °³¹ßÇÑ ½Ä°¢¾×ÀÌ »ç¿ëµÇ´Âµ¥ ÀÌ °øÁ¤¿¡¼ SiGe(½Ç¸®ÄÜ °Ô¸£¸¶´½)¿Í Si(½Ç¸®ÄÜ)¸¦ ¼±ÅÃÀûÀ¸·Î Á¦°ÅÇϱâ À§ÇÑ Á¤¹ÐÇÑ ½À½Ä ½Ä°¢ °øÁ¤ÀÌ ÇÊ¿äÇÏ´Ù"°í Çß´Ù.
À̾î "3D NAND(³½µå Ç÷¡½Ã)°¡ 200´Ü À̻󿡼 ÀûÃþ ¼ö¸¦ ´Ã¸®´Â ¼Óµµ°¡ ´À·ÁÁö°í ÇÇó ½ºÄÉÀϸµÀÌ °¡¼ÓȵǴ ¹æÇâÀ¸·Î ÁýÀûµµ°¡ ³ô¾ÆÁú °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁµÇ´Â Á¡µµ ¼Öºê·¹Àο¡ ¼öÇý°¡ µÉ °Í"À̶ó¸ç "ÇÇó ½ºÄÉÀϸµÀº ½½¸´ »çÀÌÀÇ ¿À¹ö Çìµå¸¦ ÁÙÀ̰í ÇÊ·¯ °£°ÝÀ» ÁÙ¿© ½½¸´ ´ç ÇÊ·¯ ¼ö¸¦ ´Ã¸®°í ÇÊ·¯ÀÇ CD(Critical Dimension)À» Ãà¼Ò½ÃŰ´Â ¹æÇâÀ¸·Î °øÁ¤ÀÌ ÁøÇàÇϴµ¥ ÀÌ´Â ½Ä°¢ ¼ÒÀç Á߿䵵¸¦ ³ôÀδÙ"°í ¸»Çß´Ù.
±×·¯¸é¼ "¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ ³µµ Áõ°¡·Î ¼ÒÀç ¼ö¿ä°¡ ²ÙÁØÈ÷ Ä¿Áú °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇÑ´Ù"¸ç "¼Öºê·¹ÀÎÀÇ ³»³â ¸ÅÃâ¾×Àº Àü³â µ¿±â º¸´Ù 8% Áõ°¡ÇÑ 1Á¶2100¾ï¿ø, ¿µ¾÷ÀÌÀÍÀº °°Àº ±â°£ µ¿¾È 8.9% Áõ°¡ÇÑ 2319¾ï¿øÀ¸·Î Àü¸ÁÇÑ´Ù"°í Çß´Ù.