고려대학교(총장 염재호)는 최근 KU-KIST 융합대학원 왕건욱 교수 연구팀이 탄탈륨 옥사이드와 그라핀을 이용해 메모리 셀들을 트랜지스터 없이 독립 구동 시킬 수 있는 '3차원 나노포러스 구조체 기반의 Selector-less 메모리 제작'에 성공했다고 11일 밝혔다.
Selector-less 메모리는 Resistive Random Access Memory (ReRAM)을 크로스바 구조, 즉 고차원으로 집적시키기 위해서는 메모리 셀간의 상호 작용을 억제 시킬 수 있는 어드레싱 소자 (Addressing devices: 다이오드, 셀렉터, 또는 트랜지스터)가 필수적이다.
Selector-less 메모리는 이러한 추가 어드레싱 소자 없이 셀간의 상호 작용을 억제 시킬 수 있어, 소자 구조의 단순성, 공정 비용·수율, 저온 공정 측면에서 장점을 가진다.
이번 연구결과는 세계최고 권위의 학술지인 Nano Letters 온라인판 8월 4일자에 게재됐으며, 논문명은 Three-Dimensional Networked Nanoporous Ta2O5−x Memory System for Ultrahigh Density Storage다.
왕건욱 교수는 “나노기술 및 소재 간 융합으로 이번에 제안된 소재 및 소자 구조는 지금까지 산화물 메모리가 가지는 집적도 보다 고집적으로 응용 될 수 있어서, 다음 세대 메모리 응용분야에서 역할을 할 수 있을 것으로 기대된다”고 말했다.
- 2015.08.11 16:54
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