Ãֱ٠ź¼ÒÁ߸³À» À§ÇÑ ¿¡³ÊÁöÀüȯ°ú Àü±âÀÚµ¿Â÷ ÀüȯÀ¸·Î °í¼ºÀåÁßÀÎ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå¿¡ Àû±ØÀûÀ¸·Î ´ëÀÀÇϱâ À§ÇØ ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â À̹ø ÅõÀÚÀ¯Ä¡±ÝÀ» Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸°³¹ß°ú »ý»ê´É·Â Áõ°¡¸¦ À§ÇÑ ½Ã¼³ Áõ¼³¿¡ ¾µ °èȹÀÌ´Ù.
½Ç¸®ÄÜ(Si)°ú ½Ç¸®ÄÜÄ«¹ÙÀ̵å(SiC) Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Àü¹®±â¾÷ÀÎ ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â 2017³âºÎÅÍ ´ë¿ë·® Si Super Junction MOSFET Á¦Ç°À» °³¹ßÇØ 2021³â ¼¹ö¿ë ÆÄ¿ö¿Í Â÷·® ³»Àå¿ë ¿Ï¼ÓÃæÀü±â(OBC)ÀÇ Á¦Ç° ¶óÀξ÷À» ¿Ï¼ºÇÏ°í, Àû±ØÀûÀÎ ÇØ¿Ü ÇÁ·Î¸ð¼ÇÀ» ÅëÇØ ÇØ¿Ü Àü±âÂ÷ ±â¾÷¿¡ ¼öÃâÇÏ°í ÀÖ´Ù°í ¹àÇû´Ù.
¶ÇÇÑ ´ëÇü ±¹Ã¥°úÁ¦¸¦ ÅëÇØ 1700V SiC Trench MOSFETÀ» °³¹ßÇÏ¸é¼ SiC MOSFET Á¦Ç° ¶óÀξ÷µµ È®ÃæÇÏ´Â ÇÑÆí, 2023³âºÎÅÍ Â÷·®¿ë ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå¿¡ Àû±ØÀûÀ¸·Î ´ëÀÀÇÑ´Ù´Â °èȹÀÌ´Ù. À̸¦ À§ÇØ 2024³â ¿Ï°øÀ» ¸ñÇ¥·Î õ¾È »ê¾÷´ÜÁö ³» »ý»ê½Ã¼³À» ÁغñÇÑ´Ù´Â °Í.
°Å¿µ ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì ´ëÇ¥´Â "Â÷·®¿ë Àü·Â¹ÝµµÃ¼´Â ÀϹݿ뺸´Ù ±î´Ù·Î¿î Ç°Áú°ü¸®¿Í »ý»ê°ü¸®¸¦ ¿ä±¸¹Þ±â ¶§¹®¿¡ ÀÚüÀûÀÎ ½Å·Ú¼º, Ç°Áú °ü¸® ´É·ÂÀÌ Àý½ÇÇÏ´Ù"¸é¼ "õ¾È°øÀåÀÌ ¿Ï°øµÇ¸é ÀÌ¿Í °ü·ÃÇÑ »ý»ê°ü¸®¿Í Ç°Áú°ü¸®°¡ °¡´ÉÇÏ°Ô µÈ´Ù. °í°´ÀÌ ¾È½ÉÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Ç°Áú °ü¸®·ÂÀ» °®Ãç ¸î´Ü°è ¼ºÀåÇÒ °Í"À̶ó°í ¸»Çß´Ù.
[¸Ó´ÏÅõµ¥ÀÌ ½ºÅ¸Æ®¾÷ ¹Ìµð¾î Ç÷§Æû 'À¯´ÏÄÜÆÑÅ丮']